一种提高直拉硅单晶拉速的结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105483820A(43)申请公布日2016.04.13(21)申请号201510904659.4(22)申请日2015.12.09(71)申请人天津市环欧半导体材料技术有限公司地址300384天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号(72)发明人王林高润飞宋都明陈建梅张寿星张颂越王淼(74)专利代理机构天津中环专利商标代理有限公司12105代理人胡京生(51)Int.Cl.C30B15/30(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书1页附图1页(54)发明名称一种提高直拉硅单晶拉速的结构(57)摘要本发明涉及一种提高直拉硅单晶炉拉速的结构，包括热屏上内胆、碳毡、热屏外胆、热屏下内胆，热屏下内胆为上口小、下口大的锥形斜面，与坩埚内硅熔液液面夹角为45-90°，热屏上内胆、热屏下内胆与热屏外胆之间填充碳毡，热屏上内胆、热屏下内胆材质选用钼、石墨或石英，技术效果是，结构简单，明显提高拉速，对RRV有改善效果。CN105483820ACN105483820A权利要求书1/1页1.一种提高直拉硅单晶拉速的结构，包括热屏上内胆（2）、碳毡（3）、热屏外胆（4）、热屏下内胆（5），其特征在于：热屏下内胆（5）为上口小、下口大的锥形斜面，与坩埚（6）内硅熔液液面夹角为45-90°，热屏上内胆（2）、热屏下内胆（5）与热屏外胆（4）之间填充碳毡（3），热屏上内胆（2）、热屏下内胆（5）材质选用钼、石墨或石英。2CN105483820A说明书1/1页一种提高直拉硅单晶拉速的结构技术领域[0001]本发明涉及一种直拉硅单晶炉的结构，特别涉及一种提高直拉硅单晶拉速的结构。背景技术[0002]随着当前硅单晶的售价不断降低而另一方面客户对品质的要求不断提高，当前市场普遍要求RRV的＜15%，需要对品质进行改善且提高生产效率。发明内容[0003]鉴于市场需要，本发明提供一种结构，可以对硅熔液中间位置的温度进行补偿，从而减小液面径向的温度梯度，同时提高单晶轴向的温度梯度，来提高拉速，生产RRV＜15%硅单晶，具体技术方案是，一种提高直拉硅单晶拉速的结构，包括热屏上内胆、碳毡、热屏外胆、热屏下内胆，其特征在于：热屏下内胆为上口小、下口大的锥形斜面，与坩埚内硅熔液液面夹角为45-90°，热屏上内胆、热屏下内胆与热屏外胆之间填充碳毡，热屏上内胆、热屏下内胆材质选用钼、石墨或石英。[0004]本发明的技术效果是，结构简单，明显提高拉速，对RRV有改善效果。附图说明[0005]图1是本发明的结构剖面图。具体实施方式[0006]实施例拉制半导体4寸<111>晶向单晶，如图1所示，一种提高直拉硅单晶拉速的结构，包括热屏上内胆2、碳毡3、热屏外胆4、热屏下内胆5，热屏下内胆5为上口小、下口大的锥形斜面与坩埚5内硅熔液液面夹角为70°，采用耐高温，高反射的材质石墨，厚度5mm，石墨具有良好的漫反射能力，在炉体中热量的散发主要为辐射、传导，夹角设计对液面进行热量辐射，减少单晶径向的温度梯度，使硅熔液液面保持为平面，同时，提高硅单晶轴向温度梯度，提高拉速，另一方面使氩气气流在此处产生涡流，减少直接对溶液表面扩散，热屏上内胆2材质选用粗面钼片，厚度1mm，钼具有高反射率，可对导流间外侧的热量进行隔挡，确保导流间内部的低温，提高硅单晶轴向温度梯度，提高拉速，热屏上内胆2、热屏下内胆5与热屏外胆4之间填充碳毡3。拉速可以提升到1.9mm/min,同时RRV小于15%的比例提升到95%。3CN105483820A说明书附图1/1页图14