一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105568236A(43)申请公布日2016.05.11(21)申请号201610141360.2(22)申请日2016.03.14(71)申请人洛阳高新四丰电子材料有限公司地址471000河南省洛阳市高新开发区东马沟工业园区(72)发明人孙虎民赵文普陈亚光高建杰(74)专利代理机构昆明合众智信知识产权事务所53113代理人张玺(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)B22F3/16(2006.01)C22F1/18(2006.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：（1）混料：选择钼和氢化钛作为粉体原料，两种粉体在氩气保护气氛中进行混合得到合金粉末；（2）压制成型：将混合好的粉体原料装入胶套模具中进行冷等静压处理；（3）烧结：将压制毛坯在真空烧结炉中进行第一阶段脱氢烧结和第二阶段致密化烧结，最终得到烧结毛坯；（4）轧制；（5）退火；（6）机械加工：将退火之后的靶材毛坯进行机械加工得到钼钛合金溅射靶材产品。本发明生产的钼钛合金溅射靶材成分均匀、无偏析、晶粒细小、纯度高、致密性好。CN105568236ACN105568236A权利要求书1/1页1.一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）混料：选择钼和氢化钛作为粉体原料，两种粉体在氩气保护气氛中进行混合得到合金粉末；（2）压制成型：将混合好的粉体原料装入胶套模具中进行冷等静压处理，得到压制毛坯；（3）烧结：将压制毛坯在真空烧结炉中进行第一阶段脱氢烧结和第二阶段致密化烧结，最终得到烧结毛坯；（4）轧制：将烧结毛坯在氩气保护气氛下进行加热，随后进行轧制加工得到一定规格的靶材毛坯；（5）退火：将靶材毛坯在氩气保护气氛下进行退火处理；（6）机械加工：将退火之后的靶材毛坯进行机械加工得到钼钛合金溅射靶材产品。2.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中钼的平均粒径为10~14μm，纯度≥99.99%；所述氢化钛的平均粒径为20~25μm，纯度≥99.9%。3.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）合金粉末中钼和钛原子比为4~9:1。4.根据权利要求1或2所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）混料是指将钼和氢化钛按比例混合，在行星高能球磨机中球磨，球磨时在氩气保护中进行，球料比为1.5~2:1，球磨时间为24~36h，然后在氩气保护下在三维混料机中混合均匀。5.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中冷等静压处理的压制压力为100~200MPa，压制时间为4~10分钟。6.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）第一阶段脱氢烧结温度为1000℃，真空度为1×10-3Pa，烧结时间为6小时；第二阶段致密化烧结温度为1650℃，烧结气氛为氩气，烧结时间为9小时。7.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）轧制温度为1000~1300℃，轧制采用2~6次加热，每次加热后轧制二道次的工艺，轧制总变形率为40~75%。8.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）退火温度为900~1100℃，退火时间为1~4小时。2CN105568236A说明书1/7页一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法技术领域[0001]本发明涉及材料加工技术领域，尤其是涉及一种高纯、高致密、大尺寸钼钛合金溅射靶材的制备方法。背景技术[0002]TFT-LCD（ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay）薄膜场效应晶体管液晶显示器具有体积小、重量轻、低辐射线、低耗电量、全彩化等优点，是目前平板显示器领域的主导产品。[0003]近年来，TFT的布线膜由Al变为电阻更低的Cu，而主布线膜的Cu在与非晶质Si直接接触时会因TFT制造中的加热工序而发生热扩散，导致TFT的特性变差。Mo金属膜具有耐热性、耐腐蚀性、低膜阻抗等优点，可以在Cu和Si之间做成隔膜作为覆膜的层叠布线膜。此外，随着平板显示器的大型化和高清化发展，对于形成层叠布线膜的Mo薄膜的需求也不断在提高。[0004]与纯金属Mo相比，在金属Mo中加入一定