一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112359336A(43)申请公布日2021.02.12(21)申请号202011165637.8(22)申请日2020.10.27(71)申请人金堆城钼业股份有限公司地址710077陕西省西安市高新区锦业一路88号(72)发明人崔玉青席莎周莎朱琦张晓杨秦莉李晶(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人涂秀清(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/08(2006.01)C04B35/495(2006.01)C04B35/626(2006.01)C04B35/645(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，将钼酸铵进行焙解处理，得到高纯三氧化钼；步骤2，将步骤1得到的高纯三氧化钼粉末装入模具内，进行气氛保护热压处理，得到高致密度三氧化钼坯料；步骤3，将步骤2得到的高致密度三氧化钼坯料在空气氛马弗炉内进行二次补氧；步骤4，将经过二次补氧处理的坯料进行机械加工和清洗，最终得到高纯三氧化钼靶材。本发明一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，能获得高纯度以及高致密度的三氧化钼靶材。CN112359336ACN112359336A权利要求书1/1页1.一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，具体按照如下步骤实施：步骤1，将钼酸铵进行焙解处理，得到高纯三氧化钼粉末；步骤2，将步骤1得到的高纯三氧化钼粉末装入模具内，进行气氛保护热压处理，得到高致密度三氧化钼坯料；步骤3，将步骤2得到的高致密度三氧化钼坯料在空气氛马弗炉内进行二次补氧；步骤4，将经过二次补氧处理的坯料进行机械加工和清洗，最终得到高纯三氧化钼靶材。2.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的钼酸铵为二钼酸铵、四钼酸铵、七钼酸铵、八钼酸铵、十二钼酸铵中的一种或几种的混合物。3.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤1中所述焙解处理过程为对钼酸铵进行高温处理发生分解反应，得到高纯三氧化钼的过程，所述高温处理的温度范围在300-600℃，气氛为空气，焙解时间为20min-120min。4.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤1中所述的高纯三氧化钼纯度至少为99.95％，平均粒径为0.5μm～50μm。5.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤2所述的气氛保护热压烧结的温度为400℃～650℃，压强为30MPa～500MPa，时间为15min～240min，保护气氛为：惰性气体。6.根据权利要求5所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氮气。7.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤2所述的高致密度三氧化钼坯料的致密度不小于98.5％。8.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤3中所述的在空气气氛马弗炉内进行二次补氧处理，马弗炉内温度为400℃-600℃，补氧处理时间为15min-120min。9.根据权利要求1所述的一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法，其特征在于，步骤4中最终得到的三氧化钼靶材的纯度不小于99.95％，致密度不小于98.5％。2CN112359336A说明书1/4页一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法技术领域[0001]本发明属于靶材制备方法技术领域，涉及一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法。背景技术[0002]电致变色是指材料在交替的高低或正负外电场的作用下，通过注入或抽取电荷(离子或电子)，从而在低透射率的着色状态或高透射率的漂白状态之间产生可逆变化的一种特殊现象。三氧化钨是无机电致变色材料的典型代表，目前以WO3为功能材料的电致变色器件存在色彩过重，不够柔和等问题，严重限制了其应用范围，促使人们对类似结构的MoO3展开了新的探索。MoO3也是一种阴极电致变色材料，其变色机理与WO3类似，但其着色效率相对较低，具有比WO3更加柔和的中性色彩，因而对于许多建筑物来说，这种柔和的中性色彩更为适合一些。另外还有人通过钼钨混合氧化物薄膜达到加宽光谱吸收宽度的目的。因此三氧化钼也逐渐作为电致变色材料的新生力量逐渐被大家所关注。MoO3也可用于可擦写光存储器件、平面显示、化学传感器、激光印刷等领域具有非常诱人的应用前景。[0003]目前该三氧化钼薄膜的制备方法主要有：溅射法、真空蒸镀法、溶胶-