一种晶圆氧化用高温扩散炉管.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105734675A(43)申请公布日2016.07.06(21)申请号201610247599.8(22)申请日2016.04.19(71)申请人温州巨亮光伏科技有限公司地址325000浙江省温州市经济技术开发区滨海园区明珠路687号(72)发明人蔡伦(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人翟羽(51)Int.Cl.C30B31/16(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种晶圆氧化用高温扩散炉管(57)摘要本发明公开了一种晶圆氧化用高温扩散炉管，包括炉管本体，炉管本体内具有内腔，在炉管本体的一端设有第一进气口，第一进气口上设有第一匀气装置，第一匀气装置连接外部的第一进气管，在炉管本体的另一端设有第二进气口，第二进气口上设有第二匀气装置，第二匀气装置连接外部的第二进气管，且第一进气口设置在炉管本体一侧的上端，第二进气口设置在炉管本体另一侧的下端，在炉管本体的下端设有尾气排放口，尾气排放口设有过滤装置，过滤装置连接外部的尾气管道，本发明采用非对称设置的两个进气口，且均在进气口处安装匀气装置，能够进一步过滤进入内腔的气体，同时能够保证气体的均匀性，提高晶圆氧化的均匀性。CN105734675ACN105734675A权利要求书1/1页1.一种晶圆氧化用高温扩散炉管,包括炉管本体（1），其特征在于：所述炉管本体（1）内具有内腔（2），在所述炉管本体（1）的一端设有第一进气口（3），所述第一进气口（3）上设有第一匀气装置（4），所述第一匀气装置（4）连接外部的第一进气管（5），在所述炉管本体（1）的另一端设有第二进气口（6），所述第二进气口（6）上设有第二匀气装置（7），所述第二匀气装置（7）连接外部的第二进气管（8），且所述第一进气口（3）设置在炉管本体（1）一侧的上端，所述第二进气口（6）设置在炉管本体（1）另一侧的下端，在所述炉管本体（1）的下端设有尾气排放口（9），所述尾气排放口（9）设有过滤装置（10），所述过滤装置（10）连接外部的尾气管道（11）。2.根据权利要求1所述的一种晶圆氧化用高温扩散炉管，其特征在于：所述第一匀气装置（4）和第二匀气装置（7）结构完全一致，包括耐高温框架（12），在所述耐高温框架（12）一端设有进气口（13），所述耐高温框架（12）内设有第一匀气层（14）、第二匀气层（15）、第三匀气层（16），且所述第一匀气层（14）、第二匀气层（15）、第三匀气层（16）与耐高温框架（12）垂直交错布置，在所述耐高温框架（12）的另一端设有微孔材料层（17），所述微孔材料层（17）包括基材层（18）、粘合层（19）、聚四氟乙烯微孔膜层（20），所述基材层（18）通过粘合层（19）连接聚四氟乙烯微孔膜层（20），所述聚四氟乙烯微孔膜层（20）的微孔孔径为1微米-20微米。3.根据权利要求1所述的一种晶圆氧化用高温扩散炉管，其特征在于：所述过滤装置（10）包括筒体（21），所述筒体（21）为“T”字形结构，所述筒体（21）的底部设有密封层（22），在所述筒体（21）的侧壁上均匀设有若干个微孔（23），且呈环状分布在筒体（21）的侧壁。2CN105734675A说明书1/3页一种晶圆氧化用高温扩散炉管技术领域[0001]本发明涉及半导体设备领域，具体为一种晶圆氧化用高温扩散炉管。背景技术[0002]扩散炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种，半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应，此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。整个生产过程需要操作、生产设备需要纯净、轻便、耐高温，现有的晶圆氧化炉一般为直通式进气口，而且只设置一个，虽然设置气体调节阀，但是气体进入炉管后，呈不均匀性分布，容易造成晶圆表面氧化不均匀，影响晶圆质量。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种晶圆氧化用高温扩散炉管，以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种晶圆氧化用高温扩散炉管,包括炉管本体，所述炉管本体内具有内腔，在所述炉管本体的一端设有第一进气口，所述第一进气口上设有第一匀气装置，所述第一匀气装置连接外部的第一进气管，在所述炉管本体的另一端设有第二进气口，所述第二进气口上设有第二匀气装置，所述第二匀气装置连接外部的第二进气管，且所述第一进气口设置在炉管本体一侧的上端，所述第二进气口设置在炉管本体另一侧的下端，在所述炉管本体的下端设有尾气排放口，所述尾气排放口设有过滤装置，所述过滤装置连接外部的尾气管道。[0005]优选的，所述第一匀气装置和第二匀气装置结构完全