一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115172238A(43)申请公布日2022.10.11(21)申请号202210824430.X(22)申请日2022.07.14(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人何永平杨金陈若愚曾桂辉刘港(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008专利代理师覃族(51)Int.Cl.H01L21/677(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法(57)摘要本发明公开了一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，包括以下步骤：S1、在控制系统中设置参数，以指定晶圆缓存架、舟架中存入的晶圆类型；S2、在片盒中放入晶圆，将片盒放到料台上；S3、根据预设的晶圆类型，通过机械手把晶圆传入对应的晶圆缓存架中；S4、重复步骤S2和S3，将所有晶圆传入到晶圆缓存架中；S5、根据舟架上预设的放片类型，通过机械手依次从晶圆缓存架把晶圆传入舟架；S6、开始工艺，并等待工艺结束；S7、把舟架上的晶圆按先进后出的方式传回到晶圆缓存架；S8、在控制系统中选择需要下料的晶圆，通过机械手从对应的晶圆缓存架上把晶圆传入片盒中，完成下料。本发明具有操作简单、自动化程度高、传输效率高等优点。CN115172238ACN115172238A权利要求书1/1页1.一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在控制系统中设置参数，指定晶圆缓存架(3)中放入的晶圆类型，并指定舟架(4)的片槽中存入的晶圆类型；S2、在片盒(2)中放入预设类型的晶圆，并将片盒(2)放到料台(1)上；S3、根据预设的晶圆类型，通过机械手(5)把晶圆从片盒(2)传入对应的晶圆缓存架(3)中；S4、重复步骤S2和S3，直到所有的晶圆均传入到晶圆缓存架(3)中；S5、根据舟架(4)上预设的应放片类型，通过机械手(5)依次从晶圆缓存架(3)把晶圆传入舟架(4)；S6、开始SiC晶圆制备工艺，并等待工艺结束；S7、把舟架(4)上的晶圆按预设的传入路径，以先进后出的方式反向传回到晶圆缓存架(3)；S8、在控制系统中选择需要下料的晶圆，通过机械手(5)从对应的晶圆缓存架(3)上把晶圆传入料台(1)的片盒(2)中，完成下料。2.根据权利要求1所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，所述立式SiC高温炉管设备中设置了Mapping传感器，所述Mapping传感器用于识别片盒(2)中的晶圆数量和晶圆在片盒(2)中片槽的位置。3.根据权利要求1所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用人工放料的方式将所需的晶圆放入片盒(2)中。4.根据权利要求1所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，晶圆的类型包括：挡片、填充片、工艺片和监测片；所述步骤5中，不同类型的晶圆传入舟架(4)的顺序由控制系统进行设定。5.根据权利要求1所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，同一类型的晶圆，取片放片的规则是下取上放。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，所述舟架(4)上设有多个片槽，相邻片槽之间可以放置同种类型或不同类型的晶圆。7.根据权利要求1至5中任意一项所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，所述晶圆缓存架(3)设置了多个。8.根据权利要求7所述的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法，其特征在于，所述料台(1)、舟架(4)和多个晶圆缓存架(3)环绕设置在机械手(5)四周。2CN115172238A说明书1/4页一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法技术领域[0001]本发明属于第三代半导体制造技术领域，具体涉及一种用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法。背景技术[0002]第三代半导体SiC材料，与第一、第二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，特别适用于5G射频器件和高电压功率器件。[0003]SiC高温炉管设备是SiC芯片制造的关键装备。现有的SiC高温炉管设备多是采用手动装卸片晶圆的方式，存在着自动化程度低、效率不高的缺陷，已经越来越难以适应不断增长的SiC芯片需求，而且手动装卸片也容易造成芯片刮伤与污染等问题。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种操作简单、自动化程度高、传输效率高的用于立式SiC高温炉管设备的晶圆自动传输方法。[0005