一种单晶炉加压装置.pdf
小长****6淑
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一种单晶炉加压装置.pdf
本发明专利涉及一种单晶炉加压装置,包括加压缸体、活塞、充气管、出气管和压力阀,所述的加压缸体为半封闭式的筒体,所述的活塞活动连接在加压缸体内,所述的活塞的顶部与气缸的出轴端相连,所述的气缸安装在上支架的底部,所述的充气管连接在加压缸体的底部,所述的充气管与加压缸体之间设置有单向阀,所述的出气管连接在加压缸体的底部,所述的出气管与加压缸体之间设置有电磁阀,所述的活塞上开设有溢流通道,所述的压力阀安装在溢流通道内,所述的充气管上安装有空气过滤器。本设计具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。
一种单晶炉加压装置.pdf
本发明涉及一种单晶炉加压装置,包括储气筒、输送管、压力泵、回流管、压力保护阀、法兰、直管接头和管道接头,所述的储气筒与输送管的一端相连,所述的压力泵安装在输送管上,所述的输送管的另一端通过法兰与直管接头相连,所述的管道接头是由上夹头和下夹头所组成,所述的上夹头和下夹头的中心处分别开设有第一通孔和第二通孔,所述的第一通孔和第二通孔正对着端盖上的加压孔,所述的下夹头固定安装在加压孔上方的端盖上,所述的直管接头连接在上夹头的上端;本设计具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。
一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉.pdf
本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉,该单晶炉泄漏引流装置包括:设置于坩埚的底部的防漏盘,包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿,盘底面和防漏边沿围设形成容置腔;连接在防漏盘的中部的筒状管,筒状管包括中空的内管和外管,内管和外管之间形成空腔,筒状管包括相对的第一端和第二端,第一端连接于盘底面的中部,空腔在第一端开口,形成与防漏盘的容置腔相通的进液口,筒状管上设有排液口;轴承套,坩埚轴穿设于内管内,轴承套连接在内管与坩埚轴之间。本发明提供的单晶炉泄漏引流装置及单晶炉,能够避免硅溶液侵蚀破坏其他热场
一种掺杂方法、单晶装置及单晶炉.pdf
本发明提供了一种掺杂方法、单晶装置及单晶炉,所述方法包括:在拉制当前单晶硅棒前,向硅熔料中加入第一预设质量的掺杂剂;在当前单晶硅棒的拉制过程中,检测当前单晶硅棒的生长长度;当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时,向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。本发明能够使掺杂剂的添加和当前单晶硅棒的拉制同步进行,且在拉制单晶硅的过程中,当当前单晶硅棒的生长长度满足预设条件时,向硅熔料中加入掺杂剂,由于坩埚转动产生的向心力,能够使掺杂剂均匀的分布在硅熔料液表面上,从而保证拉制的当前单晶硅棒各个部分掺杂剂的均匀
一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉.pdf
本发明提供一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉,用于拉制高质量单晶硅棒,其特征在于,所述冷却装置包括:水冷套,所述水冷套包括设置在所述水冷套中的环形冷却水循环管路;导热附件,固定连接在所述水冷套的底端并向下延伸部分长度,用于吸收单晶硅棒的热量并传导至所述水冷套进行冷却,其中,所述导热附件的中心设置有空腔,以允许所述单晶硅棒通过,合理控制液面上部温度分布调节单晶硅棒的冷却速率以控制单晶硅棒内部缺陷。