一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114381798A(43)申请公布日2022.04.22(21)申请号202011124772.8(22)申请日2020.10.20(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室申请人西安奕斯伟材料技术有限公司(72)发明人杨文武沈福哲(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静张博(51)Int.Cl.C30B15/10(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉(57)摘要本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，该单晶炉泄漏引流装置包括：设置于坩埚的底部的防漏盘，包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿，盘底面和防漏边沿围设形成容置腔；连接在防漏盘的中部的筒状管，筒状管包括中空的内管和外管，内管和外管之间形成空腔，筒状管包括相对的第一端和第二端，第一端连接于盘底面的中部，空腔在第一端开口，形成与防漏盘的容置腔相通的进液口，筒状管上设有排液口；轴承套，坩埚轴穿设于内管内，轴承套连接在内管与坩埚轴之间。本发明提供的单晶炉泄漏引流装置及单晶炉，能够避免硅溶液侵蚀破坏其他热场部件，提高设备应对溢流风险的能力，减少安全隐患甚至事故的发生，减少损失，提高设备的稼动率。CN114381798ACN114381798A权利要求书1/1页1.一种单晶炉泄漏引流装置，用于对单晶炉的坩埚泄漏的硅液进行引流，所述单晶炉包括炉体及设置于所述炉体内的坩埚，所述坩埚的底部连接有坩埚轴；其特征在于，所述单晶炉泄漏引流装置包括：设置于所述坩埚的底部的防漏盘，所述防漏盘包括盘底面和围绕所述盘底面四周边缘设置的防漏边沿，所述盘底面和所述防漏边沿围设形成用于盛放泄漏液的容置腔；连接在所述防漏盘的中部的筒状管，所述筒状管包括中空的内管和套设于所述内管外的外管，所述内管和所述外管之间形成空腔，且所述筒状管包括相对的第一端和第二端，所述第一端连接于所述盘底面的中部，所述空腔在所述第一端开口，形成与所述防漏盘的容置腔相通的进液口，所述筒状管上设有用于将所述泄漏液排出所述空腔外的排液口；及，轴承套，所述坩埚轴穿设于所述内管内，所述轴承套连接在所述内管与所述坩埚轴之间。2.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述筒状管与所述防漏盘为一体成型结构。3.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述筒状管与所述防漏盘为分体结构，其中所述盘底面中部设有通孔，所述筒状管容置于所述通孔内。4.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述筒状管的第一端与所述盘底面齐平；或者，所述筒状管的第一端低于所述盘底面。5.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述筒状管的空腔在所述第二端为封闭结构，所述排液口设置在所述外管的侧壁上。6.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述排液口上设有阀门。7.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述排液口连接外界泄漏液储存罐。8.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述盘底面上还设有排气口。9.根据权利要求1所述的单晶炉泄漏引流装置，其特征在于，所述防漏盘、所述筒状管及所述轴承套均采用耐腐蚀材质制成。10.一种单晶炉，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的单晶炉泄漏引流装置。2CN114381798A说明书1/4页一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉技术领域[0001]本发明涉及单晶硅生长技术领域，尤其涉及一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉。背景技术[0002]随着半导体硅晶圆品质的不断提高，对拉晶过程中晶棒的晶体缺陷有了更高的管控要求，影响晶体缺陷的因素主要有两个因素，其一是拉晶工艺参数，用优化的工艺参数去拉晶能制得品质更好的晶棒；其二是热场的结构和性能，其好坏是晶棒品质的先决条件，热场是拉晶炉中至关重要的组成部分，由于拉晶炉拉晶环境要求严苛，对于热场的品质和材质要求极高，不仅要耐高温，热稳定性好，而且纯度要高。通常情况下，热场主要由石墨部件和热毡组成，高强度、热稳定性极佳的石墨部件是热场的核心部件，石墨部件通常是由高纯石墨一体成形，其表面还会镀一层碳化硅镀层，热毡主要起到隔热和定向导热的作用，热毡通常要经过很多道高纯化处理工序，制作过程的繁琐和材质的严格要求使得热场的价格相当昂贵。[0003]通常情况下，硅溶液置于石英坩埚，石英坩埚外侧由两瓣石墨坩埚包裹，拉晶过程中石英坩埚与硅溶液进行反应，随着拉晶的进行石英坩埚不断被消耗，厚度逐渐变薄，其次石英坩埚与石墨坩埚之间也会发生反应，因此石英坩埚有一定的使用寿命，