一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105977140A(43)申请公布日2016.09.28(21)申请号201610584924.X(22)申请日2016.07.22(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号(72)发明人郎玉红祁鹏张召王智(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/52(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法(57)摘要本发明提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。CN105977140ACN105977140A权利要求书1/1页1.一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。2.根据权利要求1所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述材料沉积是氮化硅沉积。3.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定初始工艺温度是780℃。4.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定下降温度为740℃。5.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定降温速度是1℃/min。6.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定升温速度是1℃/min。7.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定初始工艺温度等于所述预定上升温度。8.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述预定上升温度是780℃。9.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述第二步骤和所述第三步骤连续执行，所述第二步骤和所述第三步骤之间不停顿。10.根据权利要求1或2所述的改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，其特征在于，所述第二步骤和所述第三步骤重复执行预定次数以沉积预定厚度的材料。2CN105977140A说明书1/3页一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法。背景技术[0002]过去数十年来，圆晶片尺寸越来越大，但是晶体管的尺寸却不断地变小。从几个微米(micrometer)的等级缩小到目前的几个纳米，晶体管尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升。第一，越小的晶体管象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。第二，晶体管的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片集成电路制程使用的晶圆尺寸是固定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是成本就变得更低了。[0003]为了达到高的良率要求整片圆晶片的均匀性更好(圆晶片中心位置与边缘位置的差异越小越好)。目前炉管氮化硅生长工艺中，加热方式为外围加热，气体氛围也是圆晶片外圈浓度大，在目前生长氮化硅这一步骤是恒温生长导致圆晶片外围厚度远厚于中心位置，整个的均匀性大概3％。[0004]然而，希望能够提供一种能够在炉管工艺过程中改善圆晶片内膜厚均匀性的方法。发明内容[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在炉管工艺过程中通过对温度进行高低温转换以改善硅片内膜厚均匀性的方法。[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：[0007]第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；[0008]第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；[0009]第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。[0010]优选地，所述材料沉积是氮化硅沉积。[0011]优选地，所述预定初始工艺温度是780℃。[0012]优选地