一种改善曝光焦距均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113917799A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111139947.7(22)申请日2021.09.28(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人王建涛(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种改善曝光焦距均匀性的方法(57)摘要本发明提供一种改善曝光焦距均匀性的方法，提供前层版图、当层版图；确定当层曝光图形区域，根据该曝光图形区域位置确定与其对应的前层版图中图形区域的疏密度为密集图形；利用前层版图在晶圆上形成目标结构并进行当层的光刻胶涂布；量测目标结构中疏密度不同的图形区域上的光刻胶厚度；得到不同光刻胶厚度与疏密度的对应关系；提供与前层版图中密集图形对应的当层的曝光焦距进行当层曝光图形区域的光刻胶曝光；将不同光刻胶厚度与所述疏密度对应关系映射到前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系；利用与前层密集图形对应的当层的曝光焦距及前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系，得到前层不同疏密度对应的当层的曝光焦距。CN113917799ACN113917799A权利要求书1/1页1.一种改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供前层版图，将所述前层版图中疏密度不同的图形区域分为密集图形、半密集图形、半稀疏图形和稀疏图形；步骤二、提供当层版图，确定当层的曝光图形区域，根据该曝光图形区域的位置确定与其对应的前层版图中图形区域的疏密度为密集图形；步骤三、利用所述前层版图在晶圆上形成目标结构；步骤四、在所述目标结构上进行当层的光刻胶涂布；步骤五、对所述晶圆进行切片，量测所述目标结构中疏密度不同的图形区域上的所述光刻胶厚度；得到不同光刻胶厚度与所述疏密度的对应关系；步骤六、提供与所述前层版图中密集图形所对应的当层的曝光焦距，利用该曝光焦距和步骤二中所述当层版图对步骤四中涂布有光刻胶的目标结构进行当层曝光图形区域的光刻胶曝光；步骤七、将步骤五中得到的不同光刻胶厚度与所述疏密度对应关系映射到前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系；步骤八、利用步骤六中与前层密集图形对应的当层的曝光焦距以及步骤八中的前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系，得到前层不同疏密度对应的当层的曝光焦距。2.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤一中用透光率表征所述疏密程度。3.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤二中所述曝光图形区域与该曝光图形区域对应的前层版图中的图形区域叠对。4.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤三中利用所述前层版图对所述晶圆进行光刻和刻蚀，在所述晶圆上形成所述目标结构。5.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤五中利用膜厚机量测所述目标结构中疏密度不同的图形区域上的所述光刻胶的厚度。6.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤六中与所述前层版图中密集图形所对应的当层的曝光焦距作为考虑前层为密集图形时，当层曝光的最佳焦距。7.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤六中与所述当层曝光图形区域叠对的前层图形区域为密集图形。8.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤七中所述前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系中，该当层曝光焦距为考虑前层疏密度对当层影响时，当层曝光的最佳焦距。9.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤七中所述不同光刻胶厚度与所述疏密度对应关系映射到前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系中，该映射的规律从大量实验数据得出。10.根据权利要求1所述的改善曝光焦距均匀性的方法，其特征在于：步骤八中得到前层不同疏密度对应的当层的曝光焦距的方法包括：根据所述前层疏密度与当层曝光焦距的对应关系、对步骤六中与所述前层版图中密集图形所对应的当层的曝光焦距进行差值补偿，补偿后得到不同疏密度对应的当层的曝光焦距的差值写进AGILE文件，供后续曝光调用。2CN113917799A说明书1/4页一种改善曝光焦距均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善曝光焦距均匀性的方法。背景技术[0002]随着技术节点推进，线宽减小，产品的光刻工艺窗口也大幅减小，这就对光刻提出了巨大的挑战，尤其是光刻工艺窗口减小至100nm以下时，要兼顾所有不同图形的最佳曝光焦距，这就比较容易造成所有图形的共同工艺窗口减小(commonwindow)，较小的工艺窗口难以