一种改善关键尺寸均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109300785A(43)申请公布日2019.02.01(21)申请号201811082512.1(22)申请日2018.09.17(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人何发梅(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/3213(2006.01)H01L21/311(2006.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种改善关键尺寸均匀性的方法(57)摘要本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，属于半导体制造技术领域，包括：采用一第一光罩刻蚀隔离层，以去除位于金属格区域和连续区域的隔离层，并保留位于分立区域的隔离层，位于金属格区域的金属布线层构成金属格，位于分立区域的外围金属结构和隔离层构成台阶，第一光罩具有对应金属格区域和连续区域的第一刻蚀窗口；依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。本发明的有益效果：改善提高晶圆中心金属格边沿关键尺寸的均匀性，增大蚀刻的控制范围，提高产线的稳定性。CN109300785ACN109300785A权利要求书1/1页1.一种改善关键尺寸均匀性的方法，适用于晶粒生成步骤的金属格生成工序，通过金属格生成工序对预处理晶圆进行处理以得到目标晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆、形成于所述晶圆上的金属布线层以及覆盖所述金属布线层的隔离层，所述预处理晶圆由多个晶粒区域构成，所述晶粒区域由金属格区域和环绕所述金属格区域的非金属格区域构成，所述非金属格区域由至少一个分立区域和一连续区域构成，所述金属格区域和所述分立区域之间由连续区域隔开，位于所述分立区域的所述金属布线层构成外围金属结构；其特征在于，所述方法包括：步骤S1、采用一第一光罩刻蚀所述隔离层，以去除位于所述金属格区域和连续区域的所述隔离层，并保留位于所述分立区域的所述隔离层，位于金属格区域的所述金属布线层构成金属格，位于所述分立区域的所述外围金属结构和所述隔离层构成台阶，所述第一光罩具有对应所述金属格区域和所述连续区域的第一刻蚀窗口；步骤S2、依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属布线层采用金属材质，所述金属材质包括铜。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层采用绝缘材质，所述绝缘材质包括氮化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属格区域为矩形。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分立区域为矩形且数量不超过三个，所述金属格区域的每一侧至多分布一个所述分立区域。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分立区域的数量为两个且位于所述金属格区域的相邻的两侧。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述后续处理包括：步骤b1、沉积金属铝层，以覆盖所述晶粒区域；步骤b2、采用一第二光罩刻蚀所述金属铝层，以去除位于所述进金属格区域和所述分立区域的所述台阶上的所述金属铝层，并保留包裹所述台阶四周的所述金属铝层，所述第二光罩具有对应所述金属格区域和所述所述分立区域的所述台阶的第二刻蚀窗口。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法适用于背照式影像传感器生产工艺的所述晶粒生成步骤。2CN109300785A说明书1/4页一种改善关键尺寸均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善关键尺寸均匀性的方法。背景技术[0002]在背照式影像传感器生产过程中，晶圆上依次生成金属布线层、隔离层等，晶圆由多个晶粒区域1构成，在通过必要的工艺在每个晶粒中心形成规则金属格图案后，对晶圆进行分割得到一个个独立的晶粒，再对晶粒进行封装等处理得到晶粒成品。[0003]如图1所示，每个晶粒区域1都由金属格区域2和非金属格区域3构成，金属格区域2为矩形，非金属格区域3环绕在金属格区域2的四周，非金属格区域3由分立区域4和连续区域5构成，分立区域4为矩形且数量不超过三个，金属格区域2的前、后、左、右每侧至多有一个分立区域4，并且金属格区域2和分立区域4之间由连续区域5隔开即金属格区域2和分立区域4之间不接触。如图1所示，为金属格区域2的前侧和右侧分别具有一个分立区域4的实施例，图1仅为其中一种晶粒区域的示意图。金属格区域2中的金属布线层中具有第一金属，分立区域4的金属布线层中具有第二金属，金属格区域2的金属布线层用于生成上述金属格图案。[0004]现有技术中，金属布线层的材质可以采用铜也可以采用其他金属隔离层的材质可以采用氮化硅，假设第一金属和第二金属的材质均为铜，