一种硅的提纯方法及提纯包.pdf
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一种硅的提纯方法及提纯包.pdf
本发明公开了一种硅的提纯方法,包括以下步骤:步骤一,将固态硅加热熔化,熔化温度为1550‑1800℃;步骤二:将步骤一熔化后的液态硅放置在提纯包内,在氩气环境下加热提纯包至1450~1700℃后,再将提纯包逐渐降温至1450℃,使液态硅由下至上凝固提纯。同时,本发明还公开了用于上述硅的提纯方法的提纯包。本发明所公开的一种硅的提纯方法,具有环保、节能和低成本等特点,提纯硅工艺简单,成本低,工艺简洁、无安全生产隐患,且生产过程中无粉尘、噪音、振动、大宗工业垃圾以及有毒有害气体排放。与其配套的提纯包,设备制造成
一种多晶硅提纯装置及提纯方法.pdf
本发明的目的是提供一种改进的多晶硅提纯装置和提纯方法,所述装置包括:电磁感应熔炼单元(001)、等离子冶炼炉(200)、恒温石英导管(101)、电子束熔炼炉(305)以及定向凝固单元(401)。所述多晶硅提纯方法包括:电磁感应熔炼步骤、等离子冶炼步骤、电子束熔炼步骤以及定向凝固步骤,使电子束熔炼后的高温硅液在上下温度梯度下定向冷却凝固并均匀拉坯。本发明将离子束吹气氧化和电子束熔炼在各自独立的真空环境进行,提供最优除杂提纯工艺。设备简单,成本低廉,工艺可控,减少中间污染环节,实现了低能耗、快速高效生产太阳能
一种硅粉的提纯方法.pdf
本发明提供了一种硅粉的提纯方法,包括如下步骤:S1去除所述硅粉中的金属粉末和有机物;S2将氟化钠溶于无机酸后,采用所述无机酸对所述硅粉进行酸洗;S3采用溶液Ⅰ清洗所述硅粉;S4采用离子尖端放电法去除所述硅粉中的金属离子;S5采用溶液Ⅱ进一步去除所述硅粉中的金属离子;S6采用水对所述硅粉进行漂洗后烘干即得。本发明提供的硅粉的提纯方法,以去除硅片切割时产生的硅粉中的杂质,回收硅粉,节约资源,降低生产成本。而且该方法可将硅粉中的杂质的含量降低至ppm级,从而满足单晶提拉的要求。
硅材料提纯装置及方法.pdf
本发明提供了一种硅材料提纯装置及方法,提纯装置包括提炼炉、坩埚、真空机组、冷却系统及加热系统;坩埚设于提炼炉的内部,真空机组与提炼炉连通,加热系统设置于坩埚上,冷却系统设置于坩埚的下方。提纯方法包括将待处理的硅料自加料口放入至下料仓,并关闭料仓口;启动真空机组对提炼炉内抽真空;将硅料自下料仓的下料管道导送至坩埚内的承托座上;启动加热系统的电磁感应线圈和引燃环,并将硅料加热至熔融状态;关闭电磁感应线圈,并利用提拉装置将引燃环提升至坩埚的外部;启动水冷装置,并利用下拉装置对熔融的硅料进行下移,冷却至硅锭;停止
一种硅材料高效提纯方法及装置.pdf
本发明涉及太阳能级多晶硅制造领域,尤其涉及一种硅材料高效提纯方法及装置。本发明的装置具有熔炼坩埚;熔炼坩埚的浇铸口设有内壁低外壁高的倾角;在炉体上设有旋转观察窗;使用时独立能量模块能量值为占电子束总功率比例10%‑20%,独立能量模块照射硅原料堆积的位置和浇铸口。本发明通过对电子束熔炼多晶硅过程中,电子束扫描模式的控制,提取出单独的能量模块,可对特定区域进行特定照射,提高电子束熔炼效率。