一种球形铜粉表面原位生长三维石墨烯的制备方法.pdf
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一种球形铜粉表面原位生长三维石墨烯的制备方法.pdf
本发明涉及一种球形铜粉表面原位生长三维石墨烯的制备方法。将聚甲基丙烯酸甲酯和钢球按照质量比为1:10~20放入球磨罐中,抽真空后充满氩气作为保护性气氛;经过球磨,制得聚甲基丙烯酸甲酯复合粉末;将复合粉末和纳米铜粉按照(0.1‑0.3):10混合后放进管式炉中原位化学气相还原;温度800℃,还原气氛为氢气,保护性气氛为氩气,氢气和氩气的流量比为1:2~2:1;还原时间5~15min;聚甲基丙烯酸甲酯分解生成的碳原子在铜表面生成石墨烯,得到原位生长的三维石墨烯包覆铜的复合材料。本发明利用球磨法和粉末冶金法原位
一种在铜粉表面制备石墨烯的方法.pdf
本发明公开一种在铜粉表面制备石墨烯的方法,属于新材料制备领域。本发明以铜粉为催化基底,以甲烷为碳源,将铜粉与无水乙酸铜粉末或乙酰丙酮铜粉末按一定比例研磨混合均匀,将混合粉末放置于管式炉加热区;在氢气和氩气的混合气氛下,将混合粉末加热到500‑600℃,保温一定时间,使无水乙酸铜或乙酰丙酮铜转化为表面包覆碳膜的纳米铜颗粒,以阻碍铜粉的高温粘接。然后继续升温至1000℃以上,并通入甲烷,实现在铜粉上制备较高质量的多层石墨烯。本发明简单易行,能够在铜粉上制备出多层石墨烯,且适于大规模工业化成产,在粉末冶金和复合
在铜粉表面原位催化固体碳源制备石墨烯/铜复合材料的方法.pdf
本发明涉及一种在铜粉表面原位催化固体碳源制备石墨烯/铜复合材料的方法。将钢球:铜粉:聚甲基丙烯酸甲酯以按质量比150:10:(0.1~0.3)中加入球磨罐中,抽真空后充满氩气作为保护性气氛;经过球磨,制得分散均匀的铜—聚甲基丙烯酸甲酯粉末;然后在管式炉中进行还原处理,聚甲基丙烯酸甲酯被催化成石墨烯,得到石墨烯原位生长的石墨烯/铜复合粉末;然后制备石墨烯铜基复合材料块体。采用该方法制备的石墨烯增强铜基复合材料,其拉伸性能优于传统外加法添加还原氧化石墨烯或者石墨烯片的方法。实现了对铜基体材料的强化,对于高强铜
一种金刚石微粉表面原位生长石墨烯层的制备方法.pdf
一种金刚石微粉表面原位生长石墨烯层的制备方法,其主要是按每克金刚石加入10毫升去离子水和20毫升氢氟酸溶液的比例,将金刚石、去离子水和氢氟酸溶液置入塑料容器中,超声清洗60分钟,静置24小时,离心出金刚石微粉,多次清洗至中性,干燥后得到干净微粉;将所述干净的金刚石微粉放入放电等离子烧结系统,于1400~1600℃、真空环境下进行保温退火5~30分钟,冷却至室温出炉,制得表面原位生长石墨烯层的金刚石微粉。本发明工艺简单、制备时间短,能够在金刚石微粉表面原位生成厚度可控、结合紧密的石墨烯层,并且保留了金刚石的
一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法.pdf
一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法,上述方法包括如下步骤:S1:铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后,对铜粉进行预氧化处理;S2:预氧化处理结束,化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后,同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作;S3:生长结束后,对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法,简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺,提升了整体的工艺效率。并且,预氧化处理配合后期的还原及生长操作,减少了铜粉表面的成核点,使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大,通常能达到5~10微