一种单晶炉真空管道清理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106838540A(43)申请公布日2017.06.13(21)申请号201710196865.3(22)申请日2017.03.29(71)申请人天通吉成机器技术有限公司地址314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号(72)发明人周杰沈浩锋周林伟朱伟忠王谟(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人李海建(51)Int.Cl.F16L55/24(2006.01)C30B15/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种单晶炉真空管道清理装置(57)摘要本申请公开了一种单晶炉真空管道清理装置，包括真空管道和真空泵，还包括：与所述真空管道连通的供气管道，用于向所述真空管道内通入含氧气体；设置在所述供气管道上的通断阀。本申请中的单晶炉真空管道清理装置从长晶加热开始，打开供气管道上的通断阀，向真空管道中通入含氧气体，使真空管道内壁上附着的SiOx充分燃烧成粉末随真空泵排出真空管道，防止真空管道堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。CN106838540ACN106838540A权利要求书1/1页1.一种单晶炉真空管道清理装置，包括真空管道(2)和真空泵(3)，其特征在于，还包括：与所述真空管道(2)连通的供气管道(4)，用于向所述真空管道(2)内通入含氧气体；设置在所述供气管道(4)上的通断阀(5)。2.根据权利要求1所述的单晶炉真空管道清理装置，其特征在于，所述通断阀(5)为气动阀或电动阀或手动阀。3.根据权利要求1或2所述的单晶炉真空管道清理装置，其特征在于，还包括设置在所述供气管道(4)上的节流阀(6)。4.根据权利要求3所述的单晶炉真空管道清理装置，其特征在于，还包括设置在所述供气管道(4)上的限流式垫片(7)。5.根据权利要求4所述的单晶炉真空管道清理装置，其特征在于，所述供气管道(4)上沿靠近所述真空管道(2)的方向依次设置所述限流式垫片(7)、所述节流阀(6)和所述通断阀(5)。6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的单晶炉真空管道清理装置，其特征在于，所述含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。2CN106838540A说明书1/3页一种单晶炉真空管道清理装置技术领域[0001]本发明涉及单晶生长技术领域，特别涉及一种单晶炉真空管道清理装置。背景技术[0002]单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。[0003]现有的单晶炉主要包括主炉室、副室、晶体提拉机构、抽真空装置、充惰性气体装置等。在向单晶炉中装入物料后，需要对单晶炉进行抽真空，之后再充入惰性气体。抽真空通过抽真空装置进行，抽真空装置主要包括真空管道和真空泵，真空管道连接真空泵和单晶炉。在长晶过程中，产生的SiOx会吸附在真空管道内壁上，长时间会堵塞真空管道，影响长晶。[0004]综上所说，如何解决真空管道被SiOx堵塞的问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。发明内容[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种单晶炉真空管道清理装置，以对单晶炉的真空管道进行清理，防止堵塞，保证长晶正常进行。[0006]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：[0007]一种单晶炉真空管道清理装置，包括真空管道和真空泵，还包括：[0008]与所述真空管道连通的供气管道，用于向所述真空管道内通入含氧气体；[0009]设置在所述供气管道上的通断阀。[0010]优选地，在上述的单晶炉真空管道清理装置中，所述通断阀为气动阀或电动阀或手动阀。[0011]优选地，在上述的单晶炉真空管道清理装置中，还包括设置在所述供气管道上的节流阀。[0012]优选地，在上述的单晶炉真空管道清理装置中，还包括设置在所述供气管道上的限流式垫片。[0013]优选地，在上述的单晶炉真空管道清理装置中，所述供气管道上沿靠近所述真空管道的方向依次设置所述限流式垫片、所述节流阀和所述通断阀。[0014]优选地，在上述的单晶炉真空管道清理装置中，所述含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。[0015]与现有技术相比，本发明的有益效果是：[0016]本发明提供的单晶炉真空管道清理装置中，在真空管道上连通设置有供气管道，用于向真空管道内通入含氧气体，供气管道上设置通断阀，控制供气管道的通断。工作时，从长晶加热开始，打开供气管道上的通断阀，向真空管道中通入含氧气体，使真空管道内壁上附着的SiOx充分燃烧成粉末随真空泵排出真空管道，防止真空管道堵塞，利于长时间连3CN106838540A说明书2/3页续长晶工作，从而提高了生产效率。附图说明[0017]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现