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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106825104A(43)申请公布日2017.06.13(21)申请号201710056689.3B32B15/01(2006.01)(22)申请日2017.01.25(71)申请人郑州师范学院地址450044河南省郑州市惠济区大学城北区英才街6号(72)发明人唐亚楠晋争陈卫光李成刚潘立军(74)专利代理机构北京修典盛世知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11424代理人杨方成吴俊(51)Int.Cl.B21C37/04(2006.01)C22C1/02(2006.01)C25D7/06(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种强立方织构的高强度镍钨合金基带及其制备方法(57)摘要一种强立方织构的高强度镍钨合金基带及其制备方法,该制备方法为:将镍块和钨块按照钨的原子百分含量为5.0%~7.5%进行配比,将配比后的混合材料置于真空感应熔炼炉中熔炼,获得镍钨合金铸锭,然后对合金铸锭在高温下进行锻造及热轧获得冷轧前的初始坯锭;将热轧坯锭表面氧化皮去掉,然后进行冷轧至70~100μm厚,总变形量为88%;将上述冷轧镍钨合金基带上下表面电沉积镍钨合金镀层,镀层中钨的原子百分含量为15%~18%;将电沉积后的镍钨合金基带进行再结晶退火,具体工艺为:加热温度为1120℃~1170℃,保温100~180分钟,升温速率为1000℃/S以上,保护气氛为纯氢。本发明产品可获得强立方织构,制备工艺简单,且在液氮温区无铁磁性,屈服强度较高,便于后续加工,适合工业化生产。CN106825104ACN106825104A权利要求书1/2页1.一种强立方织构的高强度镍钨合金基带,该镍钨合金基带包括上表层、下表层和芯层,其中,所述上表层和所述下表层均为钨原子百分含量为15%~18%镍钨合金层,并且厚度均为5~20μm;所述芯层为冷轧镍钨合金基带,钨原子百分含量为5.0%~7.5%的镍钨合金层,并且所述冷轧镍钨合金基带的厚度为70~100μm;并且所述上表层和所述下表层为分别在冷轧镍钨合金基带的上、下表面电沉积的镍钨合金镀层,从而所述上表层、所述芯层和所述下表层依次叠置形成所述高强度镍钨合金基带。2.根据权利要求1所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述镍钨合金基带是在电沉积所述上表层和所述下表层后再进行再结晶退火的镍钨合金基带,所述再结晶退火的具体工艺为:加热温度为1120℃~1170℃,保温100~180分钟,升温速率为1000℃/S以上,保护气氛为纯氢。3.根据权利要求1所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述上表层和所述下表层的钨原子百分含量均为15%。4.根据权利要求1所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述上表层和所述下表层的钨原子百分含量均为18%。5.一种强立方织构的高强度镍钨合金基带的制备方法,包括以下步骤:步骤一、制备初始镍钨合金坯锭:将镍块和钨块按照钨的原子百分含量为5.0%~7.5%进行配比,将配比后的混合材料置于真空感应熔炼炉中熔炼,获得镍钨合金铸锭,然后对合金铸锭在高温下进行锻造及热轧获得冷轧前的初始坯锭;步骤二、对前述热轧后的合金坯锭进行冷轧:将热轧坯锭表面氧化皮去掉,然后进行冷轧至70~100μm厚,总变形量为88%,得到冷轧镍钨合金基带;步骤三、对冷轧镍钨合金基带表面电沉积镍钨合金镀层:将所述冷轧镍钨合金基带的上、下表面电沉积镍钨合金镀层,所述上、下表面的电沉积镍钨镀层的厚度均为5~20μm,并且所述上、下表面的电沉积镍钨镀层中钨的原子百分含量均为15%~18%;步骤四、对前述电沉积后的镍钨合金基带进行再结晶退火:将前述电沉积后的镍钨合金基带进行再结晶退火,具体工艺为:加热温度为1120℃~1170℃,保温100~180分钟,升温速率为1000℃/S以上,保护气氛为纯氢。6.根据权利要求5所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述镍块和所述钨块的纯度均至少是99.99%。7.根据权利要求5所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述上表层和所述下表层的钨原子百分含量均为15%。8.根据权利要求5所述的高强度镍钨合金基带,其中,所述上表层和所述下表层的钨原子百分含量均为18%。9.根据权利要求5所述的高强度镍钨合金基带,其中,步骤四中具体工艺为:加热温度为1150℃,保温150分钟,升温速率为1000℃/S以上,保护气氛为纯氢。2CN106825104A权利要求书2/2页10.根据权利要求5所述的高强度镍钨合金基带,其中,步骤四中具体工艺为:加热温度为1120℃,保温140分钟,升温速率为1000℃/S以上,保护气氛为纯氢。3CN106825104A说明书1/4页一种强立方织构的高强度镍钨合金基带及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及复合基带,尤其