一种高强度强立方织构层状复合基带及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109536907A(43)申请公布日2019.03.29(21)申请号201811612193.0C22C30/00(2006.01)(22)申请日2018.12.27C22C9/06(2006.01)C21D9/52(2006.01)(71)申请人河南城建学院地址467036河南省平顶山市新城区(72)发明人张飞鹏李玲李华黄晓亚阮松丽(74)专利代理机构北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11624代理人郭智(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/16(2006.01)C22C19/03(2006.01)C22F1/10(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种高强度强立方织构层状复合基带及其制备方法(57)摘要一种强度强立方织构层状复合基带的制备方法，包括步骤：(1)合金熔炼及热轧:连铸获得钨原子百分含量为12～14％镍钨合金铸锭，厚度500～700mm，粗轧至50～70mm厚，工艺：1290℃保温20分钟，5道次，在1250℃保温20min精轧至12mm厚，3道次，最后一道次后立即水淬；(2)热轧板的冷轧:将表面打磨去氧化皮后冷轧，至90～100μm厚；(3)合金薄膜的沉积:在带材表面磁控溅射沉积30nm厚Ti-V-Cr-Zr合金薄膜，每种元素原子百分含量均为25％，纯度均为99.9％以上，在该薄膜表面磁控溅射沉积Cu-Ni-W合金薄膜，Ni原子百分含量为35％，W原子百分含量为1～3％，厚度10～30nm，两种薄膜均单面沉积；(4)合金薄膜的热处理：复合带材热处理工艺：到温入炉退火方式，1200℃保温1～3min，纯氢气退火。本发明获得了高强度的层状复合基带。CN109536907ACN109536907A权利要求书1/1页1.一种高强度强立方织构层状复合基带，包括带材基体和均为单面沉积的两层合金薄膜，其中，所述带材基体的厚度90～100μm，所述两层合金薄膜中的一层合金薄膜是以磁控溅射的方法沉积在所述带材基体单面上的30nm厚的Ti-V-Cr-Zr合金薄膜，该Ti-V-Cr-Zr合金薄膜的每种元素的原子百分含量均为25％，纯度均为99.9％以上，所述两层合金薄膜中的另一层合金薄膜是以磁控溅射的方法沉积在所述Ti-V-Cr-Zr合金薄膜上的Cu-Ni-W合金薄膜，在该Cu-Ni-W合金薄膜中Ni的原子百分含量为35％，W的原子百分含量为1～3％，厚度为10～30nm。2.一种根据权利要求1所述的高强度强立方织构层状复合基带的制备方法，包括以下步骤：(1)合金熔炼及热轧采用连铸技术获得钨原子百分含量为12～14％镍钨合金铸锭，厚度为500～700mm，然后直接进行粗轧至50～70mm厚，工艺为：1290℃保温20分钟，轧制道次为5道次，然后在1250℃保温20min进行精轧至12mm厚，轧制道次为3道次，最后一道次热轧后立即水淬获得热轧板；(2)热轧板的冷轧将上述热轧板表面打磨去氧化皮后进行冷轧，最终冷轧至90～100μm厚，得到冷轧带材；(3)合金薄膜的沉积在上述冷轧带材表面采用磁控溅射的方法沉积30nm厚的合金薄膜，该合金薄膜的成分为Ti-V-Cr-Zr，每种元素的原子百分含量均为25％，纯度均为99.9％以上，然后在Ti-V-Cr-Zr合金薄膜表面采用磁控溅射的方法沉积Cu-Ni-W合金薄膜，其中Ni的原子百分含量为35％，W的原子百分含量为1～3％，厚度为10～30nm，两种薄膜均为单面沉积，获得具有多层薄膜结构的复合带材；以及(4)合金薄膜的热处理将上述复合带材进行热处理，工艺为：到温入炉的退火方式，在1200℃保温1～3min，退火气氛为纯氢气，最终获得高性能的复合基带。3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤(1)中，采用连铸技术获得钨原子百分含量为12～％镍钨合金铸锭，厚度为600mm，然后直接进行粗轧至60mm厚。4.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤(2)中，最终冷轧至95μm厚。5.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤(3)中，所述Cu-Ni-W合金薄膜中W的原子百分含量为1％，厚度为30nm。6.根据权利要求2所述的制备方法，其中，在步骤(4)中，在进行所述热处理时为在1200℃保温2min。2CN109536907A说明书1/4页一种高强度强立方织构层状复合基带及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及强化高温涂层超导体用织构金属基带，尤其涉及强度织构复合基带及其制备方法。背景技术[0002]制备具有高强度和无铁磁性的双轴织构金属基带是获得高性能涂层超导带材的基础。[0003]在具有强立方织构的金属基带上外延沉积过渡层及超导层是