一种超薄单晶硅片的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112011829A(43)申请公布日2020.12.01(21)申请号201910459131.9(22)申请日2019.05.29(71)申请人扬州市万达光电有限公司地址225600江苏省扬州市高邮市天山镇工业集中区(72)发明人朱运权(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B29/64(2006.01)C30B11/00(2006.01)B28D5/04(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种超薄单晶硅片的制备方法(57)摘要本发明公开了硅原料处理装置技术领域的一种超薄单晶硅片的制备方法，包括主体，所述主体的顶部右侧设置有硅原料装入口，所述主体的左侧外壁上端设置有电极，所述主体的内部上端设置有感应炉，所述感应炉的右侧设置有感应炉翻转机构，所述感应炉的下方设置有凝固炉，所述凝固炉的右侧设置有支架，所述凝固炉的下方设置有硅锭搬运机，所述硅锭搬运机的下方设置有升降机，所述升降机的底部左侧设置有第一电机，所述升降机的右侧设置有冷却装置，通过将熔融和结晶在两个不同的坩埚中进行，可以实现半连续化生产，而且熔融、结晶、冷却分别位于不同的地方可以有效提高生产效率，减少能源的消耗。CN112011829ACN112011829A权利要求书1/1页1.一种超薄单晶硅片的制备方法，包括主体(1)，其特征在于：所述主体(1)的顶部右侧设置有硅原料装入口(2)，所述主体(1)的左侧外壁上端设置有电极(5)，所述主体(1)的内部上端设置有感应炉(3)，所述感应炉(3)的右侧设置有感应炉翻转机构(4)，所述感应炉(3)的下方设置有凝固炉(6)，所述凝固炉(6)的右侧设置有支架(7)，所述凝固炉(6)的下方设置有硅锭搬运机(9)，所述硅锭搬运机(9)的下方设置有升降机(10)，所述升降机(10)的底部左侧设置有第一电机(11)，所述升降机(10)的右侧设置有冷却装置(12)，所述冷却装置(12)的右端设置有第一输送带(13)，所述第一输送带(13)的右端设置有第二输送带(14)，所述第二输送带(14)的右侧设置有L型支架(15)，所述L型支架(15)的底部右侧设置有滑动块(16)，所述L型支架(15)的底部右侧设置有第一凹槽(17)，所述第一凹槽(17)与滑动块(16)之间设置有弹簧(18)，所述L型支架(15)的底部右侧设置有固定座(19)，所述L型支架(15)的顶部中间设置有第二凹槽(21)，所述第二凹槽(21)内部设置有第一转轮(20)，所述L型支架(15)的上端设置有支撑杆(22)，所述支撑杆(22)的左端设置有第二电机(23)，所述第二电机(23)的左端设置有第二转轮(24),所述第二转轮(24)与第一转轮(20)之间连接有切割线(22)。2.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述凝固炉(6)包括预熔坩埚(61)，所述预熔坩埚(61)的外壁设置有第一保温层(62)，所述第一保温层(62)的外壁设置有第一感应加热器(63)，所述预熔坩埚(61)的下方设置有漏斗(64)，所述漏斗(64)的右侧设置有支架(65)，所述漏斗(64)的下方设置有凝固坩埚(68)，所述凝固坩埚(68)的左右两侧均设有第二保温层(66)，所述第二保温层(66)的左右两侧均设有第二感应加热器(67)，所述凝固坩埚(68)的底端设置有旋转轴(69)。3.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述冷却装置(12)包括冷却箱(121)，所述冷却箱(121)的顶部中间设置有出风口(122)，所述冷却箱(121)的内壁右侧底端设置有第三电机(123)，所述第三电机(123)通过皮带(124)连接转轴(125)的底端，所述转轴(125)的顶端设置有扇叶(126)，所述扇叶(126)的上方设置有若干输送轴(127)。4.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述感应炉翻转机构(4)位于感应炉(3)的左侧斜上方，且焊接在主体(1)的左侧内壁。5.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述电极(5)穿过主体(1)的左侧外壁。6.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述滑动块(16)的左端与第一凹槽(17)内壁相连接，且与第一凹槽(17)的右端内壁之间安装有弹簧(18)。7.根据权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述第二电机(23)安装在支撑杆(22)的左端内部。2CN112011829A说明书1/3页一种超薄单晶硅片的制备方法技术领域[0001]本发明涉及硅原料处理装置技术领域，具体为一种超薄单晶硅片的制备方法。背景技术[00