一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺及氧化钨靶材.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106977202A(43)申请公布日2017.07.25(21)申请号201710218606.6(22)申请日2017.04.05(71)申请人北京冶科纳米科技有限公司地址101100北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号(72)发明人张士察孙振德(74)专利代理机构北京英特普罗知识产权代理有限公司11015代理人齐永红郭美娟(51)Int.Cl.C04B35/495(2006.01)C04B35/634(2006.01)C04B35/64(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺及氧化钨靶材(57)摘要本发明公开了一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺，其制备步骤包括：1)压块：将氧化钨原料粉体以模压机或冷等静压机压制成板状块体；2)煅烧：将步骤1)中制得块体置于氧气氛炉中进行煅烧处理；3)破碎：对步骤2)中经煅烧后的块体进行破碎处理，且破碎后的粉料过50-200目筛；4)造粒压坯：向步骤3)中经破碎处理后的粉料中加入成型剂，混合均匀后放入模具中利用模压机压制得到素坯；5)烧结：将步骤4)中得到的素坯放入氧气氛烧结炉中进行烧结处理得到所述的氧化钨靶材。本发明的氧化钨靶材，具有高纯度、低密度、以及开孔结构的特点，可适用于制备高质量的氧化钨电致变色薄膜。CN106977202ACN106977202A权利要求书1/1页1.一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺，其特征在于：包括以下制备步骤：1)压块：将氧化钨原料粉体以模压机或冷等静压机压制成板状块体；2)煅烧：将步骤1)中制得块体置于氧气氛炉中进行煅烧处理；3)破碎：对步骤2)中经煅烧后的块体进行破碎处理，且破碎后的粉料过50-200目筛；4)造粒压坯：向步骤3)中经破碎处理后的粉料中加入成型剂，混合均匀后放入模具中利用模压机压制得到素坯；5)烧结：将步骤4)中得到的素坯放入氧气氛烧结炉中进行烧结处理得到所述的氧化钨靶材。2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤1)中，所述氧化钨粉体的纯度≥99.99％，其一次粒径为0.05～10μm，D50为0.1～1μm。3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤1)中，加入有质量浓度为1-10wt％的聚乙烯醇水溶液，且其加入量为所述氧化钨粉体的0.1-2wt％。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的制备工艺，其特征在于：步骤1)中，所述模压机或冷等静压机的压制压力为50-500MPa，保压时间为1～10分钟；所得到的块体的相对密度为40％-60％。5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤2)中，所述煅烧处理的温度为800-1200℃、时间为1～5小时。6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤4)中，所述成型剂为质量浓度为1-10wt％的聚乙烯醇水溶液，且其加入量为氧化钨粉料量的0.1-5wt％。7.根据权利要求1或6所述的制备工艺，其特征在于：步骤4)中，所述模压机的压力为1-50MPa，保压时间为1-10分钟，所得到的素坯的相对密度为50％-70％。8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：步骤5)中，所述烧结处理的温度为800-1200℃，时间为1-5小时。9.根据权利要求8所述的制备工艺，其特征在于：步骤5)中的烧结温度比步骤2)中的烧结温度低100-200℃。10.一种高纯低密度氧化钨靶材，其特征在于：所述氧化钨靶材由权利要求1所述的制备工艺制备得到，且所述氧化钨靶材的相对密度为50％-80％。2CN106977202A说明书1/4页一种高纯低密度氧化钨靶材的制备工艺及氧化钨靶材技术领域[0001]本发明涉及一种电子束蒸镀用靶材的制备工艺，具体涉及一种电致变色薄膜用的氧化钨靶材的制备工艺，此外，本发明还涉及一种由该工艺制备得到高纯低密度氧化钨靶材，属于靶材制造技术领域。背景技术[0002]氧化钨(WO3)薄膜作为一种重要的功能材料，由于其具有优良的电致变色性能而被广泛地应用于电致变色系统中。在众多的电致变色材料中，氧化钨具有着色效率高、可逆性好、响应时间短、寿命长、成本低等特点，而被认为是当前最具发展前途的电致变色材料之一，其在电致变色系统中的应用正引起越来越多的国内外学者的关注。[0003]用于电子束蒸镀的氧化钨具有粉末和靶材两种形式，若直接使用氧化钨粉末进行蒸镀，在抽真空的过程中极易导致粉末飞散进入真空泵，此外，由于氧化钨在蒸镀时升华速度很快，极易从蒸发舟中溅出，从而导致制备的薄膜质量较低。而用于蒸镀的氧化钨靶材大都具有两种形式：一种是高密度靶材，其相对密度在98％以上，而另一种是相对密度为60％-80％的低密度靶材。当高密度氧化钨靶材用于蒸镀时，存在两方面