一种可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107201549A(43)申请公布日2017.09.26(21)申请号201710243552.9(22)申请日2017.04.14(71)申请人中国电子科技集团公司第四十八研究所地址410111湖南省长沙市天心区新开铺路1025号(72)发明人龚杰洪陈晖刘良玉范迎新禹庆荣(74)专利代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008代理人周长清(51)Int.Cl.C30B31/10(2006.01)C30B31/16(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉(57)摘要本发明公开了一种可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，包括炉体和炉门，所述炉体内设有石英反应管，所述炉门包括外炉门和内炉门，所述内炉门处设置有加热器。本发明具有易实现、操作简便、能够高效提升扩散炉炉口硅片方阻均匀性等优点。CN107201549ACN107201549A权利要求书1/2页1.一种可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，包括炉体（22）和炉门，所述炉体（22）内设有石英反应管（4），其特征在于，所述炉门包括外炉门（1）和内炉门（2），所述内炉门（2）处设置有加热器（9）。2.根据权利要求1所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述加热器（9）朝向炉体（22）中的石英反应管（4）内。3.根据权利要求1所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述内炉门（2）上设置有隔热部件，所述加热器（9）安装于隔热部件上。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述石英反应管（4）的管口处设置有一套管结构，形成内、外两个密封端面；所述外炉门（1）通过密封件与外密封端面配合，所述内炉门（2）与内密封端面配合。5.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述外炉门（1）和内炉门（2）采用通过弹性软连接的方式相结合。6.根据权利要求5所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述外炉门（1）和内炉门（2）之间设置有连接弹簧（10）。7.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述加热器（9）由若干根加热电阻丝（16）构成，所述加热电阻丝（16）置于石英套管（15）中。8.根据权利要求7所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述石英套管（15）为多圈螺旋管缠绕结构，形成炉门加热圆盘。9.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，还包括自反馈加热系统，所述自反馈加热系统包括热电偶（14）和温度控制器（13），所述自反馈加热系统用来根据炉口硅片方阻值进行温度调整。10.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述石英反应管（4）的管尾处设置主进气管（5），所述石英反应管（4）靠近炉口的位置处辅助进气口（3），所述排气口（6）设置于扩散反应管管口位置；所述主进气管（5）与主进气管路连通，所述辅助进气口（3）与辅助进气管路连通。11.根据权利要求10所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述主进气管路上设置有主进气质量流量计（18），所述辅助进气管路上设置有辅进气质量流量计（17）。12.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述石英反应管（4）的管尾设置一根进气管，用于主进气，扩散过程中的扩散工艺气体的大部分从此输入至石英反应管（4）中；一根辅助进气管位于所述石英反应管（4）的外部，置于石英反应管（4）靠近炉口附近，一小部分扩散工艺气体从此管路进入至石英反应管（4）中。13.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，所述石英反应管（4）的管尾设置两根进气管，一根位于石英反应管（4）的管尾中间，用于主进气，扩散过程中的扩散工艺气体的大部分从该管路输入至石英反应管（4）中；另一根进气管置于石英反应管（4）尾部上端，并在石英反应管（4）内部延伸至石英反应管（4）的管口附近，用于另一小部分的扩散工艺气体输入至管口附近，作为反应管口扩散工艺气体2CN107201549A权利要求书2/2页的补充。14.根据权利要求1～3中任意一项所述的可提升炉口硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于，包括三根进气管，一根位于石英反应管（4）的管尾中间，用于主进气，第二根进气管置于石英反应管（4）的尾部上端，并在石英反应管（4）内部延伸至石英反应管（4）的管口附近，第三根进气管置于反石英反应管（4）靠近炉口附近，第二、三根进气管为辅助进气，作为