一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113122927A(43)申请公布日2021.07.16(21)申请号202110570620.9(22)申请日2021.05.25(71)申请人中南大学地址410083湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号(72)发明人周继承曾世魁(74)专利代理机构北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)11562代理人张换君(51)Int.Cl.C30B31/10(2006.01)C30B31/16(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉(57)摘要本发明属于半导体扩散工艺设备领域，公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。CN113122927ACN113122927A权利要求书1/1页1.一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：包括炉门(1)、炉体(4)、进气管(7)、出气管(8)和隔热部，所述炉体(4)一侧开口，所述炉门(1)安装在所述炉体(4)的开口处，所述炉门(1)一端与所述炉体(4)铰接，所述进气管(7)和所述出气管(8)分别与所述炉体(4)连通，所述进气管(7)至少为两个，所述炉体(4)内靠近炉门(1)一侧活动设置有所述隔热部。2.根据权利要求1所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述隔热部为隔热板(3)，所述隔热板(3)中间开设有通孔(31)，所述隔热板(3)外边缘与所述炉体(4)内壁贴合。3.根据权利要求2所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括连接杆(2)和止挡部(41)，所述连接杆(2)的一端与所述炉门(1)固定连接，所述炉门(1)上端与所述炉体(4)铰接，所述连接杆(2)的另一端与所述隔热板(3)固定连接，所述炉体(4)内壁下侧向上凸起形成止挡部(41)，所述止挡部(41)包括结合面(411)和止挡面(412)，所述结合面(411)与所述隔热板(3)下边缘抵接，所述止挡面(412)与所述隔热板(3)侧面抵接，用以限制所述隔热板(3)向远离炉门(1)一侧移动。4.根据权利要求3所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述出气管(8)与所述炉体(4)下端连通，所述出气管(8)设置在所述炉门(1)与所述隔热板(3)之间。5.根据权利要求3所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述炉体(4)远离炉门(1)的端面设置两个所述进气管(7)，两个所述进气管(7)相对于所述炉体(4)轴心对称布置。6.根据权利要求5所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括分流结构(6)，设置于远离炉门(1)侧，所述分流结构(6)将所述炉体(4)逐级分隔成多个腔室。7.根据权利要求6所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述分流结构(6)包括固定杆(61)和多个分流板，多个所述分流板均平行布置，并与所述固定杆(61)垂直固定连接，所述固定杆(61)两端与所述炉体(4)固定连接，所述分流板侧边与所述炉体(4)侧壁固定连接。8.根据权利要求7所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：多个所述分流板包括一块第一分流板(62)、两块第二分流板(63)、四块第三分流板(64)，多个所述分流板靠近炉门(1)的一端对齐设置，所述第二分流板(63)的长度介于所述第一分流板(62)的长度与所述第三分流板(64)的长度之间，所述第三分流板(64)的长度小于第二分流板(63)所述的长度，所述第一分流板(62)设置在所述炉体(4)轴线上，两块所述第二分流板(63)分别设置在两个所述进气管(7)轴线上，所述第三分流板(64)设置在每个所述第二分流板(63)相邻两侧，多个所述分流板之间的间距相等。9.根据权利要求6所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括引流板(5)，固定设置在炉体(4)内壁中段上方。10.根据权利要求1至9任一项所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述炉体(4)内壁固定设置有石英反应管(9)。2CN113122927A说明书1/6页一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉技术领域[0001]本发明涉及半导体扩散工艺设备领域，特别是涉及一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉。背景技术[0002]扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，常用于大规模集成电路、电力电子行业