一种硅片加热扩散炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107604444A(43)申请公布日2018.01.19(21)申请号201711080092.9(22)申请日2017.11.06(71)申请人重庆长捷电子有限公司地址409100重庆市石柱土家族自治县下路镇柏树村(72)发明人赵阿强(74)专利代理机构深圳市兴科达知识产权代理有限公司44260代理人贾庆(51)Int.Cl.C30B31/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种硅片加热扩散炉(57)摘要本发明公开了一种硅片加热扩散炉，包括炉体和设置于炉体内的多根炉管，炉体上设有控制柜，炉管相互间隔的横向装设于炉体内，且炉管的两端设为炉口和炉尾，且炉口和炉尾于炉体上设有炉门。炉管的炉口、炉尾和炉管的中部分别设有加热元件，炉管内设有石英层，且炉管的炉口和炉尾的外表面分别套设有石棉垫和石棉圈，控制柜实时监控和控制炉体内的温度。本发明的炉口和炉尾的外表面分别套设有石棉垫和石棉圈，进而可达到对炉口和炉尾保温的作用，防止其散热导致炉口、炉尾和炉管的中部三点温度不一致影响产品质量，因此，本发明采用上述结构不仅可以保证产品质量，还可以防止炉口和炉尾因散热导致炉门处温度过高导致变形的情况。CN107604444ACN107604444A权利要求书1/1页1.一种硅片加热扩散炉，其特征在于：包括炉体(1)和设置于炉体(1)内的多根炉管(2)，所述炉体(1)上设有控制柜(3)，所述炉管(2)相互间隔的横向装设于所述炉体(1)内，且炉管(2)的两端设为炉口(2a)和炉尾(2b)，且所述炉口(2a)和炉尾(2b)于所述炉体(1)上设有炉门(4)，所述炉管(2)的炉口(2a)、炉尾(2b)和炉管(2)的中部分别设有加热元件(5)，所述炉管(2)内设有石英层(6)，且炉管(2)的炉口(2a)和炉尾(2b)的外表面分别套设有石棉垫(7)和石棉圈(8)，所述控制柜(3)实时监控和控制炉体(1)内的温度。2.如权利要求1所述的一种硅片加热扩散炉，其特征在于：所述炉管(2)连接有氮气管(9)，用于向炉管(2)内注入氮气防止硅片出现氧化的情况。3.如权利要求1所述的一种硅片加热扩散炉，其特征在于：所述控制柜(3)通过控制系统控制，且所述控制系统连接有电源模块、加热模块、温控模块、温度补偿模块和气流控制模块，所述加热模块通过控制系统控制其对炉管(2)加热升温，并可温度补偿模块进行补偿加热调节炉管(2)内温度的稳定性，所述气流控制模块用于控制进入炉管(2)内的气流大小。4.如权利要求3所述的一种硅片加热扩散炉，其特征在于：所述炉管(2)的炉口(2a)、炉尾(2b)和炉管(2)的中部均设有温控模块，用于监控三点温度的一致性。5.如权利要求1所述的一种硅片加热扩散炉，其特征在于：所述石棉垫(7)和石棉圈(8)套设于所述炉口(2a)和炉尾(2b)上，且所述石棉圈(8)上设有拉手(8a)，以便于安装和拆卸。2CN107604444A说明书1/3页一种硅片加热扩散炉技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅片加热扩散炉。背景技术[0002]扩散炉是集成电路生产线前工序的中药工艺设备之一，它的主要用途是对硅片的正极涂有硼，在高温条件下渗透，从而改变和控制半导体内杂质空隙掺杂的类型、浓度和分布，已建立不同的电性区域。[0003]对于用在1000℃～2000℃的加热扩散工艺中，其中1263℃作为产品的最佳扩散温度，当加热炉内温度升高到1263℃时，炉管的炉口和炉尾两端的温度散热快，进而导致炉口、炉尾和炉管的中部三点的温差较大，进而影响产品的质量，同时，由于炉口和炉尾的散热，热传递导致炉门上的金属部件因热胀冷缩产生变形，且炉门温度较高不便于打开。发明内容[0004]针对上述不足，本发明的目的在于，提供一种硅片加热扩散炉，其具通过设置于所述炉管的炉口和炉尾的外表面石棉垫和石棉圈，进而可达到对炉口和炉尾的保温作用，防止其散热，使炉口、炉尾和炉管的中部三点温度的一致性，保证了产品质量。[0005]为实现上述目的，本发明所提供的技术方案是：[0006]一种硅片加热扩散炉，包括炉体和设置于炉体内的多根炉管，所述炉体上设有控制柜，所述炉管相互间隔的横向装设于所述炉体内，且炉管的两端设为炉口和炉尾，且所述炉口和炉尾于所述炉体上设有炉门，所述炉管的炉口、炉尾和炉管的中部分别设有加热元件，所述炉管内设有石英层，且炉管的炉口和炉尾的外表面分别套设有石棉垫和石棉圈，所述控制柜实时监控和控制炉体内的温度。[0007]优选的，所述炉管连接有氮气管，用于向炉管内注入氮气防止硅片出现氧化的情况。[0008]优选的，所述控制柜通过控制系统控制，且所述