单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107227489A(43)申请公布日2017.10.03(21)申请号201710567885.7(22)申请日2017.07.13(71)申请人符志椿地址721000陕西省宝鸡市陈仓区科技工业园区(72)发明人符志椿(74)专利代理机构宝鸡市新发明专利事务所61106代理人席树文(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺(57)摘要提供一种单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺。核心就是在钼金属板卷制的锥形筒的侧壁上制有形状统一、大小一致、并均匀分布在侧壁的凹凸形状或同种形状的凸起点，利用光学的慢辐射原理，以导流筒本身锥形形状使导流筒侧壁由于凹凸变形和增大了单位面积，改变导流筒内部高温分布。使得钼导流筒不仅在导流降温方面性能提高，更关键处是导流筒中心高温区(单晶棒所处位置)位移到导流筒内壁附近，降低中心区域的温度,从而达到拉晶速度的提升优化。CN107227489ACN107227489A权利要求书1/1页1.一种单晶硅生长炉钼导流筒，具有一个金属钼板制成的锥形筒(1)，其特征是在锥形筒(1)侧壁制有均匀分布的凸起点或交替均匀分布的凹槽和凸起点。2.根据权利要求1所述的钼导流筒，其特征是所述金属钼板厚度在0.05-1.5mm,凹槽和凸起点等量并均匀分布于锥形筒(1)侧壁上,且凹槽的深度和凸起点的高度为0.5-3mm。3.根据权利要求2所述的钼导流筒，其特征是凹槽和/或凸起点均匀分布密度为每平方分米80-120个。4.根据权利要求1-3任意一项所述的钼导流筒，其特征是凹槽和凸起点凹凸形状规则统一，为以下形状之一或多种组合：三角形、菱形、四边形、方形、圆形及多角型。5.如权利要求1-4任意一项所述钼导流筒的加工工艺，其特征是首先采用上模和下模夹持金属钼板垂直压下，利用热压或冷压或热处理成型工艺成型，将金属钼板压制成设计形状的凹凸板，再加工制成锥形筒；所述上模和下模上分别制有对应形状的凹槽和凸起点。6.如权利要求1-4任意一项所述钼导流筒的加工工艺，其特征是首先采用滚筒式圆周成型工艺将金属钼板压制成凹凸板，再制成锥形筒；所述滚筒上制有均匀布置的凸起点，金属钼板低下搁置特制材料作为垫板并用滚筒挤压金属钼板形成凹槽和凸起点。7.如权利要求1所述钼导流筒的加工工艺，其特征是首先在金属钼板表面固定柱状材料形成均匀分布的凸起点，然后制成锥形筒。8.如权利要求1所述单面凹凸和双面凹凸，其特征是，单面凹凸板为一面是平面凹入并保持凹入剩余部分处于整体平面水平，另一面全为突出点；双面凹凸板为版面双向全为凹凸点。2CN107227489A说明书1/3页单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺技术领域[0001]本发明属于单晶硅专用设备技术领域。背景技术[0002]目前，半导体和光伏行业所需的大量原材料——单晶硅，单晶硅材料是由专用设备“单晶硅晶体生长炉”制备生产而来的，提高单晶硅产能和降低单晶硅生产成本是晶体生产商长期以来，一直要通过设备改进优化解决的技术课题。提高晶体拉速是有效提高生产效率控制生产成本的重要手段之一。近几年国内外晶体生产商在石墨导流筒内又增加一层钼导流筒(也称导流筒钼衬套)，该技术和产品的应用不仅起到隔离石墨与晶棒的直接辐射，而且有效控制了晶棒温度，并且进一步提高了拉晶速度。通过大量的技术调研，当下国内外所有生产单晶硅的各类炉型钼导流筒的选择，都是以“平板钼板”来制作导流筒。目前拉晶市场所选择平板式导流筒和波浪线性导流板，都只能解决防止光热辐射，但存在辐射后导流筒内中心高温区集中在所拉单晶棒上，就存在单晶棒温度中心过高，严重影响拉晶速度问题，同时寿命也较低，导致单晶硅制造成本较高。发明内容[0003]本发明目的是提供一种单晶硅生长炉钼导流筒及加工工艺，使得钼导流筒不仅在导流降温方面性能提高，更关键处是导流筒中心高温区(单晶棒所处位置)位移到导流筒内壁附近，降低中心区域的温度,从而达到拉晶速度的提升优化。[0004]简单地说，本发明是利用光学的慢辐射原理，以导流筒本身锥形形状使导流筒侧壁由于凹凸变形和增大了单位面积，改变导流筒内部高温分布。[0005]具体地说，一种单晶硅生长炉钼导流筒，具有一个金属钼板制成的锥形筒，其在锥形筒侧壁制有均匀分布的凸起点或交替均匀分布的凹槽和凸起点。[0006]所述金属钼板厚度在0.05-1.5mm,凹槽和凸起点等量并均匀分布于锥形筒侧壁上,且凹槽的深度和凸起点的高度为0.5-3mm。[0007]凹槽和/或凸起点均匀分布密度为每平方分米80-120个。[0008]凹槽和凸起点凹凸形状规则统一，为以下形状之一或多种组合