一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107267927A(43)申请公布日2017.10.20(21)申请号201710444800.6(22)申请日2017.06.14(71)申请人复旦大学地址200433上海市杨浦区邯郸路220号(72)发明人李惠徐卓器巫志城许宁(74)专利代理机构上海正旦专利代理有限公司31200代理人陆飞陆尤(51)Int.Cl.C23C14/28(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/58(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法(57)摘要本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。本发明采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上沉积一层Ni/C双层膜，然后通过热退火工艺在管式退火炉中进行后处理得到碳镍纳米棒薄膜材料。利用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备得到致密的Ni/C双层膜，热退火可以实现纳米棒材料的生长成型。合成的碳镍纳米棒薄膜的主要成分为NiCx，顶端伴随一定Ni含量的纳米颗粒。本发明制备成碳镍纳米棒薄膜具有良好的导电性能，具有可见光区高透过率的结构，可以在太阳能电池领域加以应用，成为一种新型透明电极材料。CN107267927ACN107267927A权利要求书1/1页1.一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法，所述碳镍纳米棒指的是过渡金属Ni的碳化物NiCx的棒状一维纳米结构，其特征在于制备的具体步骤为：（1）首先，在真空度为2´10-3Pa的真空腔中，在清洗过的光滑石英衬底表面沉积一层10-30纳米厚度的金属Ni作为催化层和前驱物；沉积过程采用脉冲激光沉积方法；（2）其次，利用同样的方法在沉积有Ni的石英衬底上继续沉积石墨粉末，沉积时间4-6分钟；（3）再次，将沉积有Ni和石墨粉末的石英衬底移入管式退火炉中进行高温退火，退火时间为5-60分钟，退火温度为1100-1250摄氏度；（4）最后，将管式退火炉自然冷却，待温度降为室温时取出样品，得到NiCx纳米棒薄膜。2.根据权利要求1所述的碳镍纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述热退火过程的退火气氛为氮气；退火时间为40-60分钟，退火温度为1150-1200摄氏度，退火气压为1个标准大气压，退火气体流量为0.8-1.2升/分钟。2CN107267927A说明书1/3页一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明属薄膜制备技术领域，具体涉及一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。背景技术[0002]本发明的碳镍纳米棒薄膜是由碳镍化合物（NiCx）纳米棒构成。NiCx是一种过渡金属碳化物，这类化合物具有良好的机械性能、抗化学腐蚀和抗氧化性、热学和电子传导特性，其中大多数性质得到了第一性原理的验证，其应用涵盖磁性传感器、磁存储器和电解水等领域。关于NiCx的记载最早见于1988年ZhaoYZ课题组的研究，他们利用化学气相沉积方法制备了NiCx的无规则丝状结构；之后的2012年LinWH课题组在制备碳纳米管过程中发现C原子会向金属Ni晶体中扩散，最终可形成NiCx结构；2016年YangHD课题组利用电沉积方法在覆盖有Ni的铜片上实现了NiCx纳米薄片的生长，并将其应用于电解水，得到了较高的电解水效率和稳定性。另外还有文献指出碳镍材料具有大小约0.8emu/g（磁荷/克）的铁磁性，可用于生物医学做传感器。碳镍材料具有如此有价值的电学、磁学等方面的性质，但是目前尚无直接用物理方法合成的文献报道。脉冲激光沉积技术是近年来发展起来的薄膜制备技术，具有沉积速率快、沉积薄膜成分可控、参数易于调节等优点，通过该方法烧蚀产生的等离子体可在衬底上沉积得到与靶材料成分一致的薄膜；而热退火工艺是合金制备和器件成型中常用的处理手段，有利于薄膜材料结晶成型，减少缺陷，可以导致某些特殊结构的形成和特殊材料的生长。发明内容[0003]本发明的目的在于将脉冲激光沉积和热退火相结合，提供一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。[0004]本发明采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上沉积一层Ni/C双层膜，随后通过热退火工艺在管式退火炉中进行后处理得到碳镍纳米棒薄膜材料。利用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备得到致密的Ni/C双层膜，热退火可以实现纳米棒材料的生长成型。合成的碳镍纳米棒薄膜材料由底部直径20-50纳米，长度约80--150纳米的棒状纳米结构构成，主要成分为NiCx，顶端伴随一定Ni含量的纳米颗粒。[0005]本发明首先提供一种可应用于透明电极的碳镍纳米棒薄膜，其主要成分为NiCx；所述碳镍纳米棒指的是过渡金属Ni的碳化物NiCx的棒状一维纳米结构。[0006]所述的碳镍纳米棒底部直径为20-50纳米，长度为80--150纳米