一种降低多晶硅铸锭氧含量方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107338474A(43)申请公布日2017.11.10(21)申请号201710657888.X(22)申请日2017.08.03(71)申请人晶科能源有限公司地址334100江西省上饶市经济开发区晶科大道1号申请人浙江晶科能源有限公司(72)发明人杨津玫毛亮亮(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201代理人何世磊(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)C30B33/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种降低多晶硅铸锭氧含量方法(57)摘要本发明涉及一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其中，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。本发明提出的降低多晶硅铸锭氧含量方法，可以制备得到氧含量更低的多晶铸锭，满足了实际应用需求。CN107338474ACN107338474A权利要求书1/1页1.一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。2.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述预设气流速度为35.0～35.5slpm。3.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述第一气压为300-400mbar。4.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述坩埚为一石英坩埚，所述对一坩埚进行喷涂处理的步骤包括：配置用于喷涂所述坩埚的涂层喷涂液；将所述涂层喷涂液均匀地涂覆于所述坩埚的内表面上；将喷涂完成的所述坩埚在一烘干设备中进行烘干处理。5.根据权利要求4所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述涂层喷涂液包括氮化硅粉、硅溶胶以及高纯水，对应的质量百分比分别为30％、10％以及60％。6.根据权利要求5所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述氮化硅粉的粒径为1.1～2.0um，所述硅溶胶的粘度为5.0～7.0mPa.S，所述硅溶胶的pH值为8.5～9.8。7.根据权利要求5所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述高纯水的pH值为6.8～7.0，电导率为0.1～0.6us/cm。8.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述混合硅料包括原生多晶硅，头尾料、单多晶边皮、碎硅片、循环硅块以及母合金，所述原生多晶硅的质量分数为57％～65％，所述头尾料的质量分数为13％～15％，所述单多晶边皮的质量分数为11％～14％，所述碎硅片的质量分数为5％～6％，所述循环硅块的质量分数为3％～5％，所述母合金的质量分数为0.01％～0.05％。9.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态的步骤包括：对所述铸锭炉进行抽真空1～1.5h；对所述混合硅料进行加热3～4h直至所述混合硅料的温度到达熔融温度，其中所述熔融温度为1530～1550℃。10.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭的步骤包括：待长晶完成之后在1360～750℃的温度范围内退火9～9.5h；退火完成之后在750～370℃的温度范围内自然冷却8.5～9h以得到所述多晶硅铸锭。2CN107338474A说明书1/6页一种降低多晶硅铸锭氧含量方法技术领域[0001]本发明涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种降低多晶硅铸锭氧含量方法。背景技术[0002]近来来，光伏发电作为一种新型的能源转换手段，由于其可再生、清洁等优点而逐渐成为主流的能源开发技术，越来越受到科研工作者的高度重视，在未来的能源领域中具有极大的发展潜力。[0003]目前制约光伏行业发展的关