能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107541771A(43)申请公布日2018.01.05(21)申请号201710597858.4(22)申请日2017.07.20(71)申请人上海汉虹精密机械有限公司地址200444上海市宝山区宝山城市工业园区山连路188号(72)发明人刘海贺贤汉郡司拓黄保强何爱军(74)专利代理机构上海顺华专利代理有限责任公司31203代理人顾雯(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉(57)摘要本发明提供能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉，炉盖的高度为730mm，将上炉筒、隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰连接在一起，一体升降，行程为800mm；使用该新的长晶方式，生长大直径Φ450mm单晶硅锭，也可以采用传统长晶方式，生长直径不大于8英寸的传统单晶硅棒。且成本费用相差不大。CN107541771ACN107541771A权利要求书1/1页1.能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉，其特征在于：包括炉盖(4)，所述炉盖(4)的高度为700-760mm。2.根据权利要求1所述的一种大直径单晶硅锭生长炉，其特征在于：所述炉盖(4)的高度为730mm。3.一种大直径单晶硅锭的提取方法，其特征在于：具体步骤如下：将上炉筒、隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰连接在一起，一体升降，行程为800±30mm。4.根据权利要求3所述的大直径单晶硅锭的提取方法，其特征在于：具体步骤如下：将上炉筒、隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰连接在一起，一体升降，行程为800mm。5.一种大直径单晶硅锭的提取方法，其特征在于：具体步骤如下：上炉筒先单独上升300±30mm，然后隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰再和上炉筒一同上升500±30mm；在下降阶段，隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰和上炉筒一同下降500±30mm，上炉筒再单独下降300±30m。6.根据权利要求5所述的大直径单晶硅锭的提取方法，其特征在于：具体步骤如下：上炉筒先单独上升300mm，然后隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰再和上炉筒一同上升500mm；在下降阶段，隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰和上炉筒一同下降500mm，上炉筒再单独下降300m。2CN107541771A说明书1/2页能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉技术领域[0001]本发明涉及单晶硅生长领域，具体涉及一种能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉。背景技术[0002]现有单晶硅生长炉，主要生长直径不大于8英寸的单晶硅棒。长晶过程一般是在炉筒内引晶、放肩、等径，旋转提拉生长，生长的单晶硅棒通过隔离阀(588mm)，进入上炉筒(2205mm)，最后整根晶棒全部位于上炉筒内。现有单晶硅生长炉因受炉盖颈端尺寸、隔离阀口径和上炉筒内径的限制，按照现有长晶方式无法生成大直径单晶硅棒，如要生成大直径单晶硅棒，需增大炉盖颈端尺寸、隔离阀口径和上炉筒内径，现有设备结构无法满足，需重新研发设计，成本费用太高。发明内容[0003]针对现有技术存在的问题，本发明提供能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉，大直径单晶硅生长炉与现有单晶硅生长炉总体结构相似，成本费用相差不大。可以使用新的长晶方式，生长大直径(Φ450mm)单晶硅锭，也可以采用传统长晶方式，生长直径不大于8英寸的传统单晶硅棒。[0004]本发明的技术方案是：能够在炉盖和炉筒内生长大直径单晶硅锭的生长炉，包括炉盖，所述炉盖的高度为700-760mm。[0005]进一步的，所述炉盖的高度为730mm。[0006]本发明还提供一种大直径单晶硅锭的提取方法，具体步骤如下：将上炉筒、隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰连接在一起，一体升降，行程为800±30mm。[0007]进一步的，具体步骤如下：将上炉筒、隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰连接在一起，一体升降，行程为800mm。炉盖上升后距离炉筒800mm，可以保证大直径单晶硅锭绕升降轴旋转脱离炉筒，取出晶锭。[0008]本发明还提供另一种一种大直径单晶硅锭的提取方法，具体步骤如下：上炉筒先单独上升300±30mm，然后隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰再和上炉筒一同上升500±30mm；在下降阶段，隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰和上炉筒一同下降500±30mm，上炉筒再单独下降300±30m。这种方式对应的是传统长晶方式，生长直径不大于8英寸的传统单晶硅棒。[0009]进一步的，具体步骤如下：上炉筒先单独上升300mm，然后隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰再和上炉筒一同上升500mm；在下降阶段，隔离阀、炉盖和炉筒水冷法兰和上炉筒一同下降500mm，上炉筒再单独下降300