预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共11页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107794565A(43)申请公布日2018.03.13(21)申请号201610805126.5(22)申请日2016.09.06(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层(72)发明人邓先亮(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人余昌昊(51)Int.Cl.C30B15/32(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称籽晶夹头及直拉单晶炉(57)摘要本发明公开了一种籽晶夹头及直拉单晶炉,所述籽晶夹头中设置一中空结构,所述中空结构贯通所述籽晶夹头的上下两端。将其应用于直拉单晶炉中,使得所述直拉单晶炉中的惰性保护气体(如氩气)可以通过所述中空结构冷却晶棒头部的中间部分,与晶棒的边缘散热速度保持一致,使整个晶棒散热均匀,克服晶棒边缘散热快,中间散热慢的现象,提高晶棒的晶体质量。另外,所述籽晶夹头的外径与一晶棒的直径相等,有利于抑制直拉单晶炉下端向上辐射传热,减少通过所述中空结构向上散失热量,降低长晶的功耗,稳定控制长晶过程的热场温度分布,有利于晶棒的生长,提高晶棒的晶体质量。CN107794565ACN107794565A权利要求书1/1页1.一种籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头中设置一中空结构,所述中空结构贯通所述籽晶夹头的上下两端。2.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述中空结构在高度方向上的截面的形状为四边形。3.如权利要求2所述的籽晶夹头,其特征在于,所述四边形为倒梯形。4.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述中空结构在宽度方向上的截面的形状为圆形或多边形。5.如权利要求4所述的籽晶夹头,其特征在于,所述多边形的边数为3-12个。6.如权利要求1至5任意一项所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的外径与一晶棒的直径相等。7.如权利要求6所述的籽晶夹头,其特征在于,所述外径的大小为100mm-600mm。8.如权利要求7所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的内径的最大值为所述外径的1/3至2/3。9.如权利要求8所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的内径的最小值为所述外径的1/5至1/3。10.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的高度为100mm-600mm。11.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的形状为圆柱体或棱柱体。12.如权利要求11所述的籽晶夹头,其特征在于,所述棱柱体的边数为3-12个。13.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述中空结构的中心轴与所述籽晶夹头的中心轴重合。14.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头的材质为钼或石墨。15.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头还包括一第一连接结构,所述第一连接结构位于所述籽晶夹头的底部或内侧壁的下半部分。16.如权利要求15所述的籽晶夹头,其特征在于,所述第一连接结构呈“十”字形。17.如权利要求1所述的籽晶夹头,其特征在于,所述籽晶夹头还包括一第二连接结构,所述第二连接结构位于所述籽晶夹头的顶部或内侧壁的上半部分。18.如权利要求17所述的籽晶夹头,其特征在于,所述第二连接结构呈“十”字形。19.一种采用如权利要求1-18任意一项所述的籽晶夹头的直拉单晶炉。20.如权利要求19所述的直拉单晶炉,其特征在于,所述直拉单晶炉还包括一联动机构,所述籽晶夹头的上端通过一连接杆与所述联动机构相连,所述籽晶夹头的下端固定一籽晶,所述联动机构用于控制所述籽晶的运动。21.如权利要求20所述的直拉单晶炉,其特征在于,通过一籽晶轴或者第一钢线将所述籽晶固定在所述籽晶夹头的下端。22.如权利要求20所述的直拉单晶炉,其特征在于,通过一籽晶轴或者第二钢线将所述籽晶夹头的上端与所述连接杆相连。2CN107794565A说明书1/7页籽晶夹头及直拉单晶炉技术领域[0001]本发明涉及晶棒生长领域,具体涉及一种籽晶夹头及直拉单晶炉。背景技术[0002]单晶硅作为一种半导体材料,一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体级单晶硅采用直拉法制造,采用直拉法的单晶硅生长方法中,请参阅图1a-图1c,单晶硅在生长时采用惰性气体如氩气做保护气体(图1a、图1b和图1c中粗黑色箭头表示氩气气流方向),多晶硅被装进石英坩埚10内加热熔化变为硅熔体11,把一个具有特定晶向的籽晶12固定在籽晶夹头13的下端,籽晶夹头13的上端通过一连接杆14连接一联动结构15,联动机构15用于控制籽晶12的运动。首先,将籽晶12与硅熔体11熔接(如图1a所示),开始进入引晶阶段;接着,通