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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108151529A(43)申请公布日2018.06.12(21)申请号201711400523.5(22)申请日2017.12.22(71)申请人合肥费舍罗热工装备有限公司地址231200安徽省合肥市肥西县花岗镇工业聚集区纬二路(72)发明人王磊王峥方松徐洋(74)专利代理机构北京开林佰兴专利代理事务所(普通合伙)11692代理人刘帅帅(51)Int.Cl.F27B5/05(2006.01)F27B5/02(2006.01)F27B5/14(2006.01)F27B5/16(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种双温区开启式滑轨炉(57)摘要本发明提供一种双温区开启式滑轨炉,包括A炉、B炉、炉壳、真空气氛系统、温度控制系统和显示器,显示器设置在炉壳的中部,A炉和B炉均设置在炉壳内,A炉和B炉共用高纯度的石英管作为炉膛,石英管分别穿过A炉和B炉的加热腔,石英管的两端设置有用于密封炉膛的法兰,法兰的外侧设置有针阀,石英管的通气管道上还设置有真空压力表和扩展接口,A炉固定在B炉的一侧,B炉滑动设置在石英管上,A炉用于样品预热蒸发的工艺,B炉用于样品后续反应沉积的工艺,加热腔内的气体通过真空气氛系统控制形成反应气流,温度控制系统用于控制反应温度。本发明的方案能够使得周边拓展性好,加大对气体控制性。CN108151529ACN108151529A权利要求书1/1页1.一种双温区开启式滑轨炉,包括A炉、B炉、炉壳、真空气氛系统、温度控制系统和显示器,所述显示器设置在炉壳的中部,所述A炉和B炉均设置在炉壳内,其特征在于:所述A炉和B炉共用高纯度的石英管作为炉膛,所述石英管分别穿过A炉和B炉的加热腔,所述石英管的两端设置有用于密封炉膛的法兰,所述法兰的外侧设置有针阀,石英管的通气管道上还设置有真空压力表和扩展接口,所述A炉固定在B炉的一侧,所述B炉滑动设置在石英管上,所述A炉用于样品预热蒸发的工艺,所述B炉用于样品后续反应沉积的工艺,所述加热腔内的气体通过真空气氛系统控制形成反应气流,所述温度控制系统用于控制反应温度。2.如权利要求1所述的双温区开启式滑轨炉,其特征在于:所述加热腔上的加热元件选用FEC陶瓷纤维加热装置,所述FEC陶瓷纤维加热装置的电阻丝内嵌式环绕在FEC陶瓷纤维上。3.如权利要求1所述的双温区开启式滑轨炉,其特征在于:所述温度控制系统通过K型热电偶反馈加热腔内的温度值,所述温度控制系统包括温度控制仪,所述温度控制仪设置在炉壳的正面上,所述温度控制仪采用经典的闭环负反馈控制系统控制。4.如权利要求1所述的双温区开启式滑轨炉,其特征在于:所述真空气氛系统包括设置在石英管出气口端的真空控制系统、石英管进气口端的气体流量控制系统和用于气路连接的气管。5.如权利要求4所述的双温区开启式滑轨炉,其特征在于:所述真空控制系统包括旋片式机械泵、真空挡板阀和数显真空仪,所述真空挡板阀和真空仪均连接在旋片式机械泵上,所述气体流量控制系统包括通过气管依次连接的气体质量流量计和混合罐,所述真空挡板阀、真空仪、气体流量机均通过电信号连接在显示器的控制芯片上。2CN108151529A说明书1/3页一种双温区开启式滑轨炉技术领域[0001]本发明涉及CVD反应设备技术领域,具体涉及一种双温区开启式滑轨炉。背景技术[0002]CVD工艺中的一种是加热基体表面的原料气体发生热分解,采用CVD工艺在1100℃以下制备二硫化钼、碳纳米管、石墨烯等新型纳米材料,可以明显的提高所制备纳米材料的纯度与性能,使得表面没有大量的缺陷,不容易团聚、性能稳定、实际导电性能好,但现有设备对生产工艺中的用到的气体控制性差,热分解时温场不均匀,设备的周边拓展性不好,从而不能完美实现CVD工艺,使得制作出来的产品性能差,质量达不到要求。发明内容[0003](一)解决的技术问题针对现有技术的不足,本发明提供了一种双温区开启式滑轨炉,克服了现有技术的不足,专门设计用于1100℃以下二硫化钼、碳纳米管、石墨烯等CVD工艺及其他热处理工艺,设备的周边拓展性好,使得能够多样化的搭配,加大对气体控制性,使得完美实现CVD工艺。[0004](二)技术方案为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种双温区开启式滑轨炉,包括A炉、B炉、炉壳、真空气氛系统、温度控制系统和显示器,所述显示器设置在炉壳的中部,所述A炉和B炉均设置在炉壳内,所述A炉和B炉共用高纯度的石英管作为炉膛,所述石英管分别穿过A炉和B炉的加热腔,所述石英管的两端设置有用于密封炉膛的法兰,所述法兰的外侧设置有针阀,石英管的通气管道上还设置有真空压力表和扩展接口,所述A炉固定在B炉的一侧,所述B炉滑动设置在石英管上,所述