一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108179469A(43)申请公布日2018.06.19(21)申请号201810148534.7(22)申请日2018.02.13(71)申请人南京晶能半导体科技有限公司地址210000江苏省南京市经济技术开发区红枫科技园A3栋1层东侧(72)发明人吴春生姜宏伟(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204代理人张弛(51)Int.Cl.C30B29/06(2006.01)C30B35/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图3页(54)发明名称一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉(57)摘要本发明公开了一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉。排气装置包括排气圈、排气管；所述排气圈内部设有环形的引气通道、进气口、出气口；排气管包括排气管肘及自排气管肘下端延伸的管体；废气通过排气圈上的进气口引气，并依次通过引气通道、出气口及排气管将气体排出。该排气圈设置为环形，在与单晶炉中的坩埚配合时，能够自坩埚周向均匀的排气，避免坩埚各位置的温差过大而使内部长晶不均匀的隐患发生。并且排气管与坩埚之间并不会接触，排气管的热量并不会再影响坩埚的温度，使坩埚的温度减少外部影响，更加能够精确控制以提高长晶质量。CN108179469ACN108179469A权利要求书1/1页1.一种半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于，包括排气圈(1)及安装在排气圈(1)外侧并自上向下延伸的排气管(2)；所述排气圈(1)包括内圈(11)、围绕内圈(11)的外圈(12)、环形的顶板(13)、环形的底盘(14)；其中顶板(13)设于内圈(11)及外圈(12)上方；底盘(14)设于内圈(11)及外圈(12)下方；内圈(11)、外圈(12)、顶板(13)、底盘(14)共同围成环形的引气通道(15)；所述内圈(11)上设有若干进气口(16)；所述外圈(12)上设有与排气管(2)一一对应的出气口(17)；所述排气管(2)包括排气管肘(21)及自排气管肘(21)下端延伸的管体(22)；所述排气管肘(21)的内侧设有向外圈凸伸的连接管(23)；该连接管(23)安装在所述外圈出气口(17)上并通过出气口(17)与引气通道(15)连通；所述进气口(16)、引气通道(15)、出气口(17)、连接管(23)及排气管(2)均连通。2.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于：所述连接管(23)通过螺栓(24)固定于外圈(12)的外侧面；所述螺栓(24)位于引气通道(15)内，并自引气通道(15)内向外伸出连接并固定外圈(12)及连接管(23)。3.根据权利要求2所述的半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于：所述连接管(23)的外围设有与螺栓(24)配合的螺纹孔(25)。4.根据权利要求3所述的半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于：所述排气管(2)设置4个，并均匀的分布在排气圈(1)的外侧。5.根据权利要求4所述的半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于：所述排气管肘(21)的上方插入有排气帽(26)。6.根据权利要求5所述的半导体级硅单晶炉的排气装置，其特征在于：所述排气圈(1)的下端设有环形的隔热衬套(3)。7.一种包括如权利要求1至6中任一项所述半导体级硅单晶炉的排气装置的单晶炉，包括坩埚(4)及围绕坩埚(4)的环形的加热器(5)，其特征在于：所述排气圈(1)安装在加热器(5)上端外侧，且内圈上的进气口(16)与坩埚(4)内部连通。2CN108179469A说明书1/2页一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉技术领域[0001]本发明涉及到单晶炉领域，尤其是一种单晶炉用的排气装置，以及对应的单晶炉。背景技术[0002]单晶硅是具有基本完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，纯度可达到99.9999999％以上，可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位，处于新材料发展的前沿。[0003]半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备，由于半导体级硅单晶体是在高温的条件下缓慢生长而成的，需要良好的温度梯度控制以形成冷心，同时需要均匀稳定的温度场以实现单晶体在坩埚中的的稳定生长。而在坩埚的排气过程中，实践中出现的问题是坩埚排气带走的热量时容易引起坩埚内热场紊乱、热量不均而影响长晶质量，晶体纯度及成品率较低，严重影响高纯度硅单晶的生产效率。[0004]故需要一种新的技术方案以解决上述问题。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种适用于半导体级单晶炉的排气装置，能够在提供排气功能的同时，降低对坩埚温度变化的影响，提高长晶质量。[0