一种低镁含量的镁制砖的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108975880A(43)申请公布日2018.12.11(21)申请号201710403803.5(22)申请日2017.06.01(71)申请人河北高富氮化硅材料有限公司地址054300河北省邢台市临城县经济开发区中兴大街北段路西(72)发明人吴诚刘久明(51)Int.Cl.C04B35/043(2006.01)C04B35/66(2006.01)C04B33/04(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种低镁含量的镁制砖的制备方法(57)摘要本发明提供一种低镁含量的镁制砖的制备方法。本发明中以镁砂和球土为主要的原料，外加5%-15%的铁矿和2%-10%的氧化钙为原料混合均匀，采用50-200MPa压力压制成成型，放入高温窑炉中烧制1300-1600℃，保温2-5h条件下制备得到。本发明制备的低镁含量的镁制砖蓄热能力3到1200~1300J/(kg·K)，密度在2.60g/cm以上，荷重软化温度高达1450℃以上。CN108975880ACN108975880A权利要求书1/1页1.一种低镁含量的镁制砖的制备方法，包括配料、混合、成型和烧结，其特征在于：（1）以镁砂和球土为主要的原料，外加5%-15%的铁矿和2%-10%的氧化钙为原料混合均匀；（2）将步骤(1)原料均匀混合后，放在50-200MPa压力压制成成型放入高温窑炉中烧制1300-1600℃，保温2-5h条件下制备得到。2.根据权利要求1所述的低镁含量的镁制砖的制备方法，其特征在于所述镁砂的氧化镁含量在95%以上。3.根据权利要求1所述的低镁含量的镁制砖的制备方法，其特征在于所述球土的氧化铝含量在65%以上。4.根据权利要求1所述的低镁含量的镁制砖的制备方法，其特征在于所述镁砂的加入量在40%-60%之间，球土的加入量在30%-50%之间。5.根据权利要求1所述的低镁含量的镁制砖的制备方法，其特征在于成型压力为50-200MPa，烧制温度1300-1600℃，保温时间为2-5h。6.根据权利要求1所述的低镁含量的镁制砖的制备方法，其特征在于制备的镁制砖蓄热能力到1200~1300J/(kg·K)。2CN108975880A说明书1/2页一种低镁含量的镁制砖的制备方法技术领域[0001]本发明属于耐火材料镁制砖技术领域。具体涉及一种低镁含量的镁制砖的制备方法。背景技术[0002]进入新世纪以来，节约能源成为了各个国家重点关注的方向，窑炉工业的蓄能材料成为了大家重点关注的对象，以氧化镁为主的碱性耐火材料具有体积密度小，蓄热能力强，强度适中，抗碱性渣侵蚀能力强，兼具隔热性能和高熔点性能，有利于节能降耗和满足材料的轻量化要求。适用于高温工业窑炉和容器的内衬。我国主要镁矿集中在辽宁地区，而镁矿的开采带来的环境不利的问题日益突出，降低蓄热镁砖里面的氧化镁含量成为了一个需要重点解决的问题。CN102795870A公开了一种质轻镁砖及其制备方法。其技术方案是：先将30~85wt%的烧结镁砂、10~65wt%的菱镁矿、0.5~4wt%的二氧化硅细粉、0.5~2%的软质粘土和1~3%的结合剂搅拌均匀，压制成形，自然干燥24小时，再于110℃~300℃条件下保温8~24小时，然后在1350℃~1500℃条件下烧成3~12小时，制得镁砖。CN1451629公开了一种高铁镁铁尖晶石砖的制造方法，高温烧成，用轻烧氧化镁和含铁原料为原料，原料的铁硅比Fe2O3/SiO2＝5.5～7.5，镁硅比MgO/SiO2＝80～180，钙硅比CaO/SiO2＝＜2.5，在1600～1750℃烧成镁铁砂。粉碎筛粉，将镁铁砂、含三氧化二铬和含氧化锆的原料粉成0～0.5mm的颗粒，及＜0.088mm的细粉待用。配料与混料，原料重量份比为：镁铁砂100，铬铁矿5～20，氧化锆原料1～3，将上述各种粒度骨料投至混料机中干混，混合均匀后加入纸浆结合剂，再加入氧化锆及适量＜0.08mm的细粉搅拌均匀，粉料对骨料充分包裹。再经成型干燥、烧成即为成品。产品组份重量比为：氧化镁100、二氧化二铁1.2～12、二氧化硅0.5～2.4、二氧化锆1.0～2.0、铁铬比Fe2O3/Cr2O31.8～3.0。CN1704384公开了一种方镁石—橄榄石轻质保温耐火材料生产方法。所采用的技术方案是：按重量比将20～80％的菱镁矿粉、0～50％的轻烧氧化镁粉、10～30％的氧化硅粉、0～15％的可烧失物粉、0～3％的结合剂混合，外加4～10％的水搅拌均匀，混匀后压制成型，成型后的坯体在110℃下干燥4～24小时，然后在1300℃～1500℃温度下烧成，保温时间为1～8小时。本发明所得到的产品主要晶相为方镁石、橄榄石，它不仅可以在高温下直接与镁质