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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108971480A(43)申请公布日2018.12.11(21)申请号201810236164.2(22)申请日2018.03.21(71)申请人西安交通大学地址710049陕西省西安市碑林区咸宁西路28号(72)发明人韩卫忠胡中伟郭朝维(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人徐文权(51)Int.Cl.B22F1/02(2006.01)B22F9/22(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法(57)摘要本发明公开了一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,包括以下步骤:1)在硅基底上预制划痕,再对硅基底进行清洗及烘干;2)将镍盐置于无水乙醇中,超声分散后滴于硅基底上;3)将硅基底放置于600℃-1200℃温度中,并进行保温,然后随炉冷却至室温;4)将金属氧化物粉末均匀放入Al2O3瓷方舟内,再将经步骤3)处理的硅基底盖在Al2O3瓷方舟上,然后将Al2O3瓷方舟放置于水平管式炉中;5)向洗气瓶内装蒸馏水,再将洗气瓶固定于加热台上,H2及Ar经洗气瓶洗气后通入到水平管式炉中;6)将水平管式炉内的温度调整至800℃-1200℃,保温后冷却至室温,即可在硅基底上获取线径均匀的石墨烯包覆的金属纳米线,该方法能够制备出石墨烯包覆的金属纳米线。CN108971480ACN108971480A权利要求书1/1页1.一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅基底上预制划痕,再对硅基底进行清洗及烘干;2)将镍盐置于无水乙醇中,超声分散后滴于硅基底上;3)将硅基底放置于600℃-1200℃温度中,并在氢气的气氛中进行保温,然后在氢气的气氛中随炉冷却至室温,从而将硅基底上均匀分散的镍盐还原成Ni的纳米颗粒;4)将金属氧化物粉末均匀放入Al2O3瓷方舟内,再将经步骤3)处理的硅基底盖在Al2O3瓷方舟上,然后将Al2O3瓷方舟放置于水平管式炉中;5)向洗气瓶内装蒸馏水,再将洗气瓶固定于加热台上,H2及Ar经洗气瓶洗气后通入到水平管式炉中,以排除水平管式炉内的空气;6)将Ar的流速调整至100sccm以上,将H2的流速调整至30sccm以下,将洗气瓶内水的温度调整至80℃-120℃,将水平管式炉内的温度调整至800℃-1200℃,保温后冷却至室温,即可在硅基底上获取线径均匀的石墨烯包覆的金属纳米线。2.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,步骤1)的具体操作为:用金刚石划刀在硅基底上预制划痕,再将硅基底置于无水乙醇中进行超声清洗,然后烘干。3.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,步骤3)将硅基底放置于600℃-1200℃中,并在氢气的气氛中进行保温的具体操作为:将硅基底置于水平管式炉中,再以升温速率大于等于10℃/min的速度升温至600℃-1200℃,并在氢气的气氛中进行保温。4.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,金属氧化物粉末的纯度大于99.99%。5.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,步骤5)中H2的流速大于等于50sccm,Ar的流速大于等于200sccm,H2及Ar的通入时间大于等于10min。6.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,步骤6)中的保温时间大于等于4h。7.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属纳米线的制备方法,其特征在于,H2及Ar纯度均大于99.99%。2CN108971480A说明书1/4页一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种金属纳米线的制备方法,具体涉及一种石墨烯包覆金属纳米线的制备方法。背景技术[0002]近年来,纳米线这种独特的一维纳米材料越来越受到广大研究者的密切关注。2006年王中林教授以ZnO纳米线独特的压电性能提出了纳米发电机的概念(WangZL,SongJ.Science,2006,312(5771):242),08年有研究表明Si纳米线做锂离子电池的阳极能够极大地提高电池充放电的转化效率,并且在若干次充放电循环后仍能保持稳定(ChanCK,PengH,LiuG,etal.NatureNanotech,2008,3(1):187-191.),也有研究表明以LaB6纳米线作为场发射电子源,具有非常低的场开启电压和非常稳定的场发射电流,用这种纳米线作为扫描电镜的场发射电子源,能够更加易于获取低噪音、高分辨的扫描照片。由此可见,纳米线由于其独特的性能具备非常广阔的潜在应用前景,因此值得我们深入去研究。[0003]金属纳米线同时