一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108998633A(43)申请公布日2018.12.14(21)申请号201810938249.5H01F1/153(2006.01)(22)申请日2018.08.17H01F41/02(2006.01)(71)申请人华北电力大学扬中智能电气研究中心地址212200江苏省镇江市扬中市新坝镇新园路一号(72)发明人薛志勇郑睿鹏(74)专利代理机构北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙)11583代理人冯云(51)Int.Cl.C21D1/04(2006.01)C21D1/26(2006.01)C21D1/74(2006.01)C21D9/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法(57)摘要本发明公开了一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法，包括步骤：(1)将待处理的磁芯放置在横向磁场热处理炉中，并通入保护气体；(2)进行热处理及磁处理，包括：第一阶段：温度从室温升到约300℃，用时约60min；保温约30min；之后再升到约400℃，用时约30min；然后保温约60min；第二阶段：温度从约400℃升到T1，用时约30min；然后在T1保温约210min；同时在该第二阶段中施加横向磁场；第三阶段：撤销磁场，同时使温度从T1升到约510℃，用时约20min；保温约40min；之后再升到T2温度并保温，用时为约90min；第四阶段：停止加热，并冷却至室温；其中，T1温度为460～480℃，T2温度为560～570℃。CN108998633ACN108998633A权利要求书1/1页1.一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法，包括以下步骤：(1)将待处理的非晶纳米晶磁芯放置在横向磁场热处理炉中，并通入保护气体；(2)进行热处理及磁处理，包括：第一阶段：温度从室温升到约300℃，用时约60min；保温约30min；之后再升到约400℃，用时约30min；然后保温约60min；第二阶段：温度从约400℃升到T1，用时约30min；然后在T1保温约210min；同时在该第二阶段中施加横向磁场；第三阶段：撤销磁场，同时使温度从T1升到约510℃，用时约20min；保温约40min；之后再升到T2温度，用时约30min，并保温约60min；第四阶段：停止加热，并冷却至室温；其中，T1温度范围是460～480℃，T2温度范围是560～570℃。2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，还包括在所述第一阶段中的第90min至结束这一时间段之中开始施加横向磁场。3.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，所述保护气体为氮气。4.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，所述非晶纳米晶磁芯为铁基非晶纳米晶磁芯。5.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，热处理后磁芯的矫顽力Hc＜2A/m。6.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，热处理后磁芯的饱和磁致伸缩系数λ＜0.5ppm。7.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，将热处理后磁芯装入垫有海绵的塑料护盒后，从200mm高处跌落5次，电感变化量不超过5％。8.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，热处理后磁芯的磁导率μ范围为10.000～400.000。9.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，所述第四阶段包括将磁芯出炉后用风机冷却至室温，用时约50min左右。10.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁芯的热处理方法，其中，施加的磁场强度为15-25KA/m。2CN108998633A说明书1/5页一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法技术领域[0001]本发明涉及非晶磁芯处理技术领域，更具体涉及一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法。背景技术[0002]近年来发展起来的非晶纳米晶软磁材料例如铁基非晶纳米晶软磁材料，要求要有尽可能较小的磁晶向异性常数和饱和磁致伸缩系数，使得磁芯有低矫顽力、低损耗和高初始磁导率等特点。不同于传统软磁材料所要求的晶粒尽可能的均匀且大，铁基非晶纳米晶软磁材料其独特的非晶纳米晶双相微观结构中，纳米晶晶粒需要尽可能的小且密度大。此外，非晶纳米晶软磁材料的高频化、小型化将会极大的拓展其在各类电子设备中的使用范围。[0003]只有通过合适的热处理，抑制非晶纳米晶软磁材料晶化放热冲温，消除快速凝固过程中的残余应力，才能将非晶纳米晶软磁材料的优异性能显现出来，因此这种工艺不但要求热处理后的磁芯性能优越，而且能保持良好的磁稳定性和抗干扰能力。[0004]非晶磁芯必须通过热处理后才有磁性性能，目前常用的热处理方法分为真空热处理和非真空热处理。例如中国专利20171060242