一种用于废硅料回收处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109137065A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号201811242829.7(22)申请日2018.10.24(71)申请人镇江环太硅科技有限公司地址212200江苏省镇江市扬中市油坊镇新材料工业园区(72)发明人姚翠云刘明权路景刚(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256代理人任立(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种用于废硅料回收处理方法(57)摘要本发明公开了一种用于废硅料回收处理方法，包括以下步骤：（1）三次废弃层靠近坩埚面边皮回收料部分，打磨设备打磨，再人工辅助使用磨光机继续打磨；（2）三次废弃层最上部杂质部分，打磨设备打磨，再使用打磨设备继续打磨，再人工辅助使用磨光机打磨；（3）三次废弃层最下部杂质部分，打磨设备打磨，再人工辅助使用磨光机继续打磨；（4）打磨好的硅料酸洗；（5）将处理好后的硅料，添加30%用量与一次废弃层经过多晶炉铸锭提纯用；本发明处理方法简单易行，有效去除废硅料中富含的金属杂质、氮化硅和碳化硅杂质，提升此类硅料的内在品质，达到高纯度硅料要求，增加经济效益，变废为宝。CN109137065ACN109137065A权利要求书1/1页1.一种用于废硅料回收处理方法，其特征在于，回收处理的废硅料为三次废弃层部分包括靠近坩埚的边皮回收料部分、硅锭最上部杂质部分及硅锭最下部杂质部分，所述三次废弃层由多晶工序生产加工中硅锭最上部为杂质富集区切除8-10mm作为一次废弃层，此部分硅料经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为二次废弃层，二次废弃层再经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为三次废弃层；该废硅料回收处理方法，具体包括以下步骤：（1）三次废弃层靠近坩埚面边皮回收料部分，厚度在20-30mm，使用边皮头尾料自动打磨设备进行打磨，打磨深度为2mm，剥去表面一层，再人工辅助使用磨光机继续打磨；（2）三次废弃层最上部杂质部分，厚度＞40mm，使用边皮头尾料自动打磨设备，打磨深度为2mm，剥去表面一层，一次打磨完成后，再使用机械打磨设备继续打磨，打磨深度设置2mm，再剥去表面一层，再人工辅助使用磨光机打磨；（3）三次废弃层最下部杂质部分，厚度＞40mm，使用边皮头尾料自动打磨设备进行打磨，打磨深度设置为2mm，先剥去表面一层，再人工辅助使用磨光机继续打磨；（4）将步骤（1）、（2）及（3）中打磨好的硅料进行酸洗，酸洗后纯水中和漂洗至PH值为中性，烘干后包装入库；（5）将步骤（4）处理好后的硅料配置30%与70%一次废弃层硅料经过多晶炉铸锭排杂提纯一次，提纯后的硅料作为可投炉硅料使用。2.根据权利要求1所述的用于废硅料回收处理方法，其特征在于：步骤（3）进行酸洗时，酸液配比为47%浓度氢氟酸与68%浓度硝酸按质量比1:8配置，酸洗时间为20s。2CN109137065A说明书1/2页一种用于废硅料回收处理方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于废硅料回收处理方法，应用于多晶硅料可循环使用，涉及工序有料理打磨工序、清洗工序、多晶铸锭工序。背景技术[0002]多晶工序生产加工过程中，硅锭最上部为杂质富集区，一般会切除8-10mm作为一次废弃层，此部分硅料经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为二次废弃层，二次废弃层再经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为三次废弃层，一般三次废弃层部分包含靠近坩埚的边皮回收料部分，以及硅锭最上部杂质部分，及硅锭最下部杂质部分，其主要杂质有碳化硅、氮化硅以及金属杂质，此部分硅料作报废硅料处理，导致硅料一次利用率降低，成本上升。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是，针对以上现有技术存在的缺点，提出一种用于废硅料回收处理方法，该处理方法简单易行，有效去除废硅料中富含的金属杂质、氮化硅和碳化硅杂质，提升此类硅料的内在品质，使得此类硅料的质量达到高纯度硅料要求，增加经济效益，使其达到变废为宝的目的。[0004]本发明解决以上技术问题的技术方案是：一种用于废硅料回收处理方法，回收处理的废硅料为三次废弃层部分包括靠近坩埚的边皮回收料部分、硅锭最上部杂质部分及硅锭最下部杂质部分，三次废弃层由多晶工序生产加工中硅锭最上部为杂质富集区切除8-10mm作为一次废弃层，此部分硅料经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为二次废弃层，二次废弃层再经过多晶铸锭炉提纯一次，产生的除中心晶砖外，其余部分作为三次废弃层；该废硅料回收处理方法，具体包括以下步骤：（1）三次废弃层靠近坩埚面边皮回收料部分，厚