一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109338050A(43)申请公布日2019.02.15(21)申请号201811563108.6(22)申请日2018.12.20(71)申请人北流市柯顺电子有限公司地址537400广西壮族自治区玉林市北流市甘村皮件工业集中区(72)发明人左海军党邦源(74)专利代理机构广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙)44295代理人王洪娟冼俊鹏(51)Int.Cl.C21D1/26(2006.01)C21D1/773(2006.01)C21D9/00(2006.01)H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法(57)摘要本发明公开了一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，包括以下步骤，S1、在料盘上按顺序摆放多层纳米晶磁芯，相邻两层的纳米晶磁芯之间为错位摆放；S2、将摆放好的多层纳米晶磁芯放入退火炉，并以预设的热处理工序进行热处理。本发明能有效解决两层磁芯之间的磁芯端面的散热性问题，使磁芯的磁导率充分发挥出来，使磁芯的磁导率提高40％以上，磁芯能做到3～6层放置，增加了单次退火磁芯的数量，提高生产效率。CN109338050ACN109338050A权利要求书1/1页1.一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、在料盘上按顺序摆放多层纳米晶磁芯，相邻两层的纳米晶磁芯之间为错位摆放；S2、将摆放好的多层纳米晶磁芯放入退火炉，并以预设的热处理工序进行热处理。2.根据权利要求1所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S1中，上层的纳米晶磁芯位于下层对应的相邻两个纳米晶磁芯的正上方。3.根据权利要求1所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S2中，所述热处理工序具体包括以下步骤，S21、以第一加热速度将纳米晶磁芯从室温加热至第一温度后，保温第一时间；S22、以第二加热速度将纳米晶磁芯加热至第二温度后，保温第二时间；S23、以第三加热速度将纳米晶磁芯加热至第三温度后，保温第三时间；S24、以预设冷却速度将纳米晶磁芯冷却至第四温度后，将纳米晶磁芯从退火炉中取出，并自然冷却至室温。4.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S21中，所述第一加热速度为8℃/分钟～10℃/分钟，所述第一温度为380℃～420℃，所述第一时间为35～45分钟。5.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S22中，所述第二加热速度为1℃/分钟～2℃/分钟，所述第二温度为470℃～490℃，所述第二时间为110～130分钟。6.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S23中，所述第三加热速度为0.9℃/分钟～1.5℃/分钟，所述第三温度为545℃～575℃，所述第三时间为190～210分钟。7.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：在步骤S24中，所述预设冷却速度为6℃/分钟～6.5℃/分钟，所述第四温度为190℃～210℃。8.根据权利要求1-7任意一项所述的一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，其特征在于：所述退火炉为真空卧式退火炉或真空立式退火炉。2CN109338050A说明书1/3页一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法技术领域[0001]本发明涉及磁芯热处理技术领域，更具体地说，它涉及一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法。背景技术[0002]热处理是纳米晶磁芯生产中的一道工充，纳米晶磁芯要想得到理想的热处理效果，热处理时磁芯的摆放很关键，传统的摆放方式为上层磁芯与下层磁芯一一对齐放置，且一般是2层放置，由于这种放置方式影响了两层磁芯之间的磁芯端面的散热性，从而出现磁芯的磁导率不能充分的发挥出来的问题。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是针对现有技术的上述不足，本发明提供一种能使磁芯的磁导率充分发挥出来的纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法。[0004]本发明的技术方案是：一种纳米晶磁芯错位摆盘热处理方法，包括以下步骤，[0005]S1、在料盘上按顺序摆放多层纳米晶磁芯，相邻两层的纳米晶磁芯之间为错位摆放；[0006]S2、将摆放好的多层纳米晶磁芯放入退火炉，并以预设的热处理工序进行热处理。[0007]作为进一步地改进，在步骤S1中，上层的纳米晶磁芯位于下层对应的相邻两个纳米晶磁芯的正上方。[0008]进一步地，在步骤S2中，所述热处理工序具体包括以下步骤，[0009]S21、以第一加热速度将纳米晶磁芯从室温加热至第一温度后，保温第一时间；[0010]S22、以第二加热速度将纳米晶磁芯加热至第二温度后，保温第二时间；[0011]S23、以