纳米晶磁芯热处理炉.pdf
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纳米晶磁芯热处理炉.pdf
本发明涉及热处理炉领域,公开了一种纳米晶磁芯热处理炉,纳米晶磁芯热处理炉,包括机架、位于机架上的热处理装置,所述热处理装置上设有输入口和输出口,所述输入口与所述输出口之间循环移动有承载纳米晶磁芯的输送组件;所述热处理装置内设置有通道内径与所述输送组件相匹配的热处理通道,所述输送组件行走于所述热处理通道内;所述热处理通道内布置有多个独立控温的加热区,且所述热处理装置上设置有加磁组件,所述加磁组件形成的磁区包裹纳米晶磁芯晶化所行经的加热区。本发明加热效率高、实现连续化热处理,免除惰性气体或真空环境的条件。
一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法.pdf
本发明公开了一种非晶纳米晶磁芯的热处理方法,包括步骤:(1)将待处理的磁芯放置在横向磁场热处理炉中,并通入保护气体;(2)进行热处理及磁处理,包括:第一阶段:温度从室温升到约300℃,用时约60min;保温约30min;之后再升到约400℃,用时约30min;然后保温约60min;第二阶段:温度从约400℃升到T1,用时约30min;然后在T1保温约210min;同时在该第二阶段中施加横向磁场;第三阶段:撤销磁场,同时使温度从T1升到约510℃,用时约20min;保温约40min;之后再升到T2温度并保温
共模电感纳米晶磁芯的热处理方法.pdf
本发明涉及一种共模电感纳米晶磁芯的热处理方法,包括:一、将待处理的纳米晶磁芯放置于真空炉内并抽真空;二、温度由室温升至480℃‑490℃,并保温60min‑80min;三、温度由480℃‑490℃升至550℃‑555℃,并保温80min‑90min;四、将真空炉的炉温降至350℃及以下温度,待炉温降至350℃及以下温度后取出纳米晶磁芯半成品;五、将步骤四中的纳米晶磁芯半成品放置于横磁炉内;六、温度由室温升至400℃‑410℃,并保温120min,在保温过程中加横磁处理;七、将横磁炉的炉温降至350℃及以下
一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺.pdf
本发明提出了一种纳米晶磁芯磁场热处理复合工艺,工艺步骤为:将待处理的纳米晶磁芯放置在料架上,然后放入磁场退火炉中并通入混合保护气体;磁场退火炉先对料架上的纳米晶磁芯进行预热处理到400℃~500℃,加入纵向磁场同时温度继续上升至500℃~600℃,纳米晶磁芯在500℃~600℃的晶化状态下进行纵磁处理;将纵磁处理后的纳米晶磁芯冷却至400℃~500℃,加入横向磁场同时温度继续冷却300℃~400℃,纳米晶磁芯在300℃~400℃低温保温条件下横磁处理;将经横磁处理的纳米晶磁芯自然降温到180℃~200℃,
一种用于纳米晶磁芯的热处理方法.pdf
本发明公开了一种用于纳米晶磁芯的热处理方法,包括步骤:(1)在热处理装置内布置与纳米晶磁芯组体积相匹配的热处理通道,并有多个加热区;(2)将加热区内的温度加热至预设温度;(3)对纳米晶磁芯晶化过程中行经的热处理通道区域以及末端加热区施加磁场;(4)将纳米晶磁芯组送入热处理通道内,移动至磁场所覆盖的加热区内晶化;热处理通道将纳米晶磁芯组晶化反应所散发的热量积聚,令纳米晶磁芯组在进入末端加热区前完成晶化退火;(5)将完成晶化的纳米晶磁芯组移动至末端加热区进行降温处理;(6)将纳米晶磁芯组移出热处理通道,得到纳