一种应用于单晶炉的副炉室延长段.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109402726A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811332652.X(22)申请日2018.11.09(71)申请人浙江晶鸿精密机械制造有限公司地址312300浙江省绍兴市上虞区通江西路218号(72)发明人韦韬傅林坚曹建伟胡建荣倪军夫陈杭陈龙(74)专利代理机构杭州中成专利事务所有限公司33212代理人周世骏(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称一种应用于单晶炉的副炉室延长段(57)摘要本发明是关于单晶炉辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉的副炉室延长段。包括延长段本体；延长段本体为双层圆筒状结构，包括圆筒状的延长段内筒与延长段外筒；延长段上法兰与延长段下法兰分别焊设于延长段本体的顶端与底端；延长段侧法兰通过连接组件设于延长段外本体侧部；连接组件为双层管体结构，包括延长段侧法兰内接管与延长段侧法兰外接管；隔水组件包括延长段隔水条；延长段隔水条为弧形结构，有多条且平行于延长段本体底面并焊设于延长段内筒与延长段外筒之间。本发明提高了副炉室延长段的密封性能；提高了冷却效率，从而提高单晶炉的硅棒单次生产重量以及长度，降低辅助材料的替换频率。CN109402726ACN109402726A权利要求书1/2页1.一种应用于单晶炉的副炉室延长段，其特征在于，包括延长段本体、延长段上法兰、延长段下法兰、延长段侧法兰与隔水组件；所述延长段本体为双层圆筒状结构，包括圆筒状的延长段内筒与延长段外筒；所述延长段内筒侧壁上设有一单边通的孔，所述延长段外筒在对应位置设有通孔；所述延长段上法兰与延长段下法兰分别焊设于延长段本体的顶端与底端；所述延长段上法兰为圆盘结构，底面上设有圆形凹槽，该圆形凹槽与底面为同心圆；凹槽槽体底部还有一个环形台阶且该台阶与底面为同心圆；侧壁上有一个单边通的3/4Rc螺纹孔；所述延长段下法兰为圆盘结构，底面设有两个台阶，且这两个台阶与底面均为同心圆；所述延长段侧法兰通过连接组件设于延长段外筒侧部的通孔处，且与延长段外筒垂直；延长段侧法兰为圆盘结构，底面上设有圆形凹槽，该圆形凹槽与底面为同心圆；凹槽槽体底部设有台阶且该台阶与底面为同心圆；所述连接组件为双层管体结构，包括延长段侧法兰内接管与延长段侧法兰外接管；所述延长段侧法兰内接管底面有一个圆弧切口；所述延长段侧法兰外接管底面也有一个圆弧切口；所述隔水组件包括延长段隔水条；延长段隔水条为弧形结构，有多条且平行于延长段本体底面并焊设于延长段内筒与延长段外筒之间。2.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，所述副炉室延长段内筒外径为530mm，壁厚为10mm，高度为929mm；侧壁上单边通的孔距顶部188mm，直径为180mm。3.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，所述延长段外筒外径为582mm，壁厚6mm，高度为915mm；侧壁上的通孔距顶部180mm，直径为219mm；与侧壁径向呈顺时针116°处有一个Y型焊接剖口，剖口角度50°，钝边高度1.1mm，根部间隙2mm，剖口深度4.9mm。4.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，所述延长段上法兰外径为668mm，壁厚79mm，高度45mm；底面凹槽与底面直径之比为：536:570，深度与延长段上法兰的高之比为：30:45；台阶外径与延长段上法兰底面的直径之比为：510:530，深度与延长段上法兰的高之比为：8:45；凹槽内壁顶端有8mm，角度为30°的倒角；凹槽底部外径与延长段上法兰高之比为：20:45；，底面外缘圆周上有均布6个贯穿的M12螺纹孔。5.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，延长段下法兰外径为668mm，壁厚79mm，高度为45mm；底面上其中一个台阶外径与底面直径之比为：570:582，该台阶深度与延长段下法兰的高之比为：2：45；另一个台阶外径与底面的直径之比为：510:530，深度与延长段下法兰的高之比为：8:45；凹槽内壁顶端有8mm，角度为30°的倒角；凹槽底部外径与延长段下法兰高之比为：20:45。6.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，所述延长段侧法兰外径为290mm，壁厚65mm，高度23mm；凹槽与底面直径之比为：187:207，深度与延长段侧法兰的高之比为：10:23，内壁有9mm，角度为30°的倒角；底面的两个台阶外径与底面直径之比分别为：:207：219，160：180，深度与延长段侧法兰的高之比分别为：5:23，12.804:23；底面外缘圆周上均布6个贯穿的M12螺纹孔。7.根据权利要求1所述的延长段，其特征在于，所述延长段侧法兰内接管外径为180mm，壁厚10m