热交换器升降机构以及晶体生长炉系统.pdf
白凡****12
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相关资料
热交换器升降机构以及晶体生长炉系统.pdf
本发明公开一种热交换器升降机构以及晶体生长炉系统,包括热交换器、固定件、升降机构。热交换器的一端被构造为贯穿晶体生长炉的炉体与晶体生长炉中的坩埚连接并与坩埚发生热交换,热交换器被构造为与炉体的壁面可滑动地配合。固定件被构造为与晶体生长炉保持相对位置。升降机构与固定件连接并与固定件保持相对位置,升降机构与热交换器传动连接,升降机构被构造为驱动热交换相对于炉体滑动,以改变升降机构相对于炉体的位置关系。本申请提供的技术方案可以用于解决现有晶体生长设备中热交换器位置的相对变化,导致影响晶体质量的问题。
晶体旋转称重系统以及晶体生长炉系统.pdf
本发明公开一种晶体旋转称重系统,涉及晶体生长技术领域,可以包括:称重传感器,所述称重传感器安装于真空腔室内;旋转装置,所述旋转装置安装于所述称重传感器的下方,且能够与籽晶连接,并带动籽晶旋转;提拉装置,所述提拉装置与所述真空腔室连接,并带动所述真空腔室上下移动。本发明还公开了一种晶体生长炉系统,包括晶体生长炉以及上述的晶体旋转称重系统。本发明能够提高称重部件的测量精度,降低对晶体生长的影响。
一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉.pdf
本发明涉及半导体材料制备装置技术领域,更具体而言,涉及一种设置有炉体升降机构的晶体生长炉,包括晶体生长装置与炉体升降装置,在晶体生长装置中通过自上而下的多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热,多组加热器独立运作,实现不同部位不同温度的加热;通过底部玻璃棒提供热流失通道;通过炉体升降装置,避免因坩埚内部熔体震动而导致的生长界面波动带来的晶体缺陷,使得晶体尾部多晶率由原来6%下降到2%,晶体的EPD及电性能均匀性得到明显提升;本发明提供的晶体生长炉结构简单,操作便捷,方便了装炉与出炉操作,工作效率由
用于晶体生长炉坩埚的升降装置.pdf
本发明提供一种用于晶体生长炉坩埚的升降装置,包括:支柱(4),其一端固定于坩埚(2)的底部,另一端从晶体生长炉(1)的炉底伸出;由丝杠传动机构驱动的升降平台(8),其中,升降平台(8)与支柱(4)的伸出炉底的部分固定连接,以带动坩埚(2)在晶体生长炉(1)的温场中升降。本发明能够即时调节坩埚在炉内温场中相对位置。
石墨发热体以及晶体生长炉.pdf
本发明公开一种石墨发热体以及晶体生长炉,包括石墨本体以及至少两个电极部,其中,石墨本体包括加热底壁和加热侧壁。加热侧壁包括至少四个加热侧板,至少四个加热侧板中的每两个加热侧板构成一个侧壁加热部,加热底壁包括至少两个加热底板,至少两个加热底板中的每一个加热底板相互间隔,相邻两个侧壁加热部的第二端通过加热底板连接。至少两个电极部分别设置于不同的侧壁加热部上。本申请的技术方案可以用于解决KY长晶工艺成本高的问题。