一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109554750A(43)申请公布日2019.04.02(21)申请号201811523203.3(22)申请日2018.12.13(71)申请人湖南金博碳素股份有限公司地址413000湖南省益阳市高新开发区迎宾西路2号(72)发明人廖寄乔石磊李军刘学文谭周建李丙菊王跃军龚玉良(74)专利代理机构益阳市银城专利事务所(普通合伙)43107代理人陈禧(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒(57)摘要本发明公开了一种可调节导流筒外屏高度的单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是它包括以下步骤：⑴将外屏分割切断成上外屏、下外屏；⑵制备连接筒，⑶用工装将上外屏、下外屏和连接筒组装成外屏，在上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间钻螺孔；⑷将螺钉旋入螺孔，使上外屏、连接筒和下外屏连接成一体；相应内屏包括上内屏、下内屏，上内屏连接部的外径为下内屏连接部的内径，上内屏连接部可在下内屏连接部内滑动；本发明方法可靠，结构简单，导流筒的外屏、内屏采用模块化组装，具有高度可调的特点，可满足不同热场的需要，还能单独更换，节约成本。CN109554750ACN109554750A权利要求书1/1页1.一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是它包括以下步骤：⑴将外屏上部直壁段沿同一高度位置分割切断成上外屏、下外屏；⑵制备连接筒，所述连接筒为圆筒状，外表面设有环状凸起，凸起的轴向长度为外屏需增加的高度，凸起的径向长度为外屏的厚度，凸起的两端分别为上外屏连接部、下外屏连接部；⑶用工装将上外屏、下外屏和连接筒组装成外屏，在上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间钻螺孔；⑷将螺钉旋入螺孔，使上外屏、连接筒和下外屏连接成一体。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是在步骤⑶中，钻螺孔时，由外屏外侧往外屏中心侧钻，且留1～2圈螺纹不钻透。3.根据权利要求1所述的一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是在步骤⑷后，将组装后外屏的外表面整体表涂。4.一种导流筒外屏，其特征是它包括上外屏、连接筒、下外屏，所述连接筒为圆筒状，外表面设有环状凸起，凸起的轴向长度为外屏需增加的高度，凸起的径向长度为外屏的厚度，凸起的两端分别为上外屏连接部、下外屏连接部；上外屏与上外屏连接部之间、下外屏与下外屏连接部之间通过螺钉连接成一体。5.一种采用如权利要求4所述导流筒外屏的导流筒，它包括内屏，其特征是所述内屏包括上内屏、下内屏，上内屏下部设有上内屏连接部，下内屏上部设有下内屏连接部，均为轴向直壁段，上内屏连接部的外径为下内屏连接部的内径，上内屏连接部可在下内屏连接部内滑动。6.一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是它包括以下步骤：⑴将外屏上部直壁段沿同一高度位置分割切断，保留下外屏；⑵按需增加的高度制备增高筒，所述增高筒上部为法兰，下部设有连接部；⑶用工装将增高筒、下外屏组装成外屏，在下外屏与连接部之间钻螺孔；⑷将螺钉旋入螺孔，使增高筒、下外屏连接成一体。7.根据权利要求6所述的一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是在步骤⑶中，钻螺孔时，由外屏外侧往外屏中心侧钻，且留1～2圈螺纹不钻透。8.根据权利要求6所述的一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法，其特征是在步骤⑷后，将组装后外屏的外表面整体表涂。9.一种导流筒外屏，其特征是它包括增高筒、下外屏，所述增高筒上部为法兰，下部设有连接部；下外屏与连接部之间通过螺钉连接成一体。10.一种采用如权利要求9所述导流筒外屏的导流筒，它包括内屏，其特征是所述内屏包括上内屏、下内屏，上内屏下部设有上内屏连接部，下内屏上部设有下内屏连接部，均为轴向直壁段，上内屏连接部的外径为下内屏连接部的内径，上内屏连接部可在下内屏连接部内滑动。2CN109554750A说明书1/4页一种单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒技术领域[0001]本发明涉及一种单晶炉热场零件，具体地说是一种单晶炉用导流筒，特别是涉及一种可调节导流筒外屏高度的单晶炉用导流筒外屏高度的调节方法及导流筒外屏和导流筒。背景技术[0002]导流筒是单晶硅拉制炉热场系统的关键元件之一，主要用于控制热场的轴向温度梯度和引导氩气流。导流筒阻隔单晶炉体以及熔硅对晶体的热辐射，利于晶体散热，形成晶体生长所需的温度梯度，以提高晶体生长速度；引导由单晶炉顶从上向下吹的氩气集中地喷吹到固液界面附近，维持其清洁度，同时更加有利于晶体散热，加大晶体生长所需的温度梯度，以提高晶体生长速度；对高温