一种扩散片的制备方法、扩散片及终端.pdf
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一种扩散片的制备方法、扩散片及终端.pdf
本申请实施例公开了一种扩散片的制备方法、扩散片及终端,属于光学技术领域;制备方法包括以下步骤:加工基材,加热基材以使基材的第一表面处于半熔融状态;加工第一表面,使用第一模板对第一表面进行压印,以使第一表面形成第一微结构;制得扩散片,冷却以使基材固化,并在第一表面涂覆第一防护层,以制得扩散片。在本申请实施例中,通过对处于半熔融状态的基材的表面进行压印以形成微结构,能够降低加工工艺要求。同时,通过在设置微结构的表面上涂覆防护层,可以使压印有微结构的表面光滑,不会有异物附着点且清洁方便;还可以起到防护作用,避免
一种高方阻电池片的扩散制备方法.pdf
本发明公开了一种高方阻太阳能电池片的扩散制备方法,该方法包括:将硅片置于氮气气氛的扩散炉中,并在低温条件下,向扩散炉中通入低浓度氧气;之后提升氧气流量,并向所述扩散炉中通入携磷源气体和减小了流量的氮气;升温后继续向扩散炉中通入提升了流量的氧气,和减小了流量的氮气以及携磷源气体;继续提升氧气流量,减小氮气流量;降温,并将所述硅片从所述扩散炉中取出。本发明采用四步梯度通氧的方法,可有效降低硅片表面浓度,减少载流子表面复合,通过降低硅片表面浓度从而提升扩散方阻,进而提高太阳能电池片的效率。
一种缩短三扩散片扩散时间的工艺.pdf
本发明提供一种缩短三扩散片扩散时间的工艺,包括以下步骤:将清洗后的扩散片放置于预扩散用的容器内并进行摆片,将清洗后的扩散片进入预扩散炉中进行预扩散,将预扩散完成后的扩散片进入主扩散炉中进行主扩散,对主扩散完成后的扩散片进行主扩散后处理,对完成主扩散后处理的扩散片在预扩散炉内进行二次预扩散,对完成二次预扩散的扩散片在主扩散炉内进行二次主扩散,对二次主扩散完成后的扩散片进行出炉测试。本发明的有益效果是对扩散片进行两次预扩散和主扩散,可以大幅度的缩短扩散片的扩散时间,使得扩散片的主扩时间由原来的130~150h
一种扩散片退火工艺.pdf
本发明公开了一种扩散片退火工艺,首先选择厚度范围为150~200μm的扩散片作为衬底,通过表面清洗并注入N型离子,经炉管完全退火形成一定的扩散注入曲线,推结形成第一缓冲层;其次在扩散片正面依次完成N‑衬底层和正面金属层;再次将扩散片翻转180度,对扩散片背面进行研磨至设定厚度,再进行表面抛光处理和表面化学修复;然后依次进行N型离子掺杂和P型离子掺杂注入和至少一次的激光退火制程,形成第二缓冲层和P层;最后经过背金工艺完成扩散片背面金属层。本发明将扩散片与激光退火工艺优势互补,不仅满足了FS‑IGBT背面工艺
多功能扩散膜与包含其的扩散片.pdf
本揭露实施例提供一种扩散膜,包括:基质材料,包括下列成分的反应物:多硫醇、聚烯烃及具有硫醇及烯烃的交联剂;光致发光材料,包括量子点或荧光粉;及光扩散粒子,包括有机高分子粒子及/或无机粒子。