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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109797426A(43)申请公布日2019.05.24(21)申请号201910181965.8(22)申请日2019.03.11(71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址201306上海市浦东新区临港新城云水路1000号(72)发明人邓先亮(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人董巍高伟(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种拉晶装置(57)摘要本发明提供一种拉晶装置,所述装置包括:炉体;设置在所述炉体顶部的氩气输入管道;设置在所述炉体底部的氩气输出管道;其中,所述氩气输出管道内壁设置有耐高温层。根据本发明的拉晶装置,通过在连接在炉体底部的氩气输出管道上设置耐高温层,有效避免了氩气排出过程中,硅的氧化物与氩气输出管道的直接接触,隔绝了硅的氧化物与管道材料之间的反应,从而避免了氩气输出管道的氧化与反应副产物的沉积,延长了氩气输出管道的使用寿命,减少了生产成本。CN109797426ACN109797426A权利要求书1/1页1.一种拉晶装置,其特征在于,包括:炉体;设置在所述炉体顶部的氩气输入管道;设置在所述炉体底部的氩气输出管道;其中,所述氩气输出管道内壁设置有耐高温层。2.根据权利要求1所述的拉晶装置,其特征在于,所述耐高温层包括氮化硅层。3.根据权利要求2所述的拉晶装置,其特征在于,所述耐高温层为采用通过化学气相沉积的方法沉积在所述氩气输出管道内壁的膜层。4.根据权利要求3所述的拉晶装置,其特征在于,所述膜层的厚度的范围为5μm-1mm。5.根据权利要求1所述的拉晶装置,其特征在于,所述耐高温层为在所述氩气输出管道内设置的可拆卸衬里结构。6.根据权利要求1所述的拉晶装置,其特征在于,所述氩气输出管道的材料包括石墨。7.根据权利要求1所述的拉晶装置,其特征在于,还包括与所述氩气输出管道相连的冷却管道,所述氩气输出管道通过所述冷却管道连接至排气泵。2CN109797426A说明书1/4页一种拉晶装置技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域,具体而言涉及一种拉晶装置。背景技术[0002]直拉法(Cz)是制备半导体及太阳能用硅单晶的一种重要方法,通过碳素材料组成的热场对放入坩埚的高纯硅料进行加热使之熔化,之后通过将籽晶浸入熔体当中并经过一系列(引晶、放肩、等径、收尾、冷却)工艺过程,最终获得单晶棒。[0003]作为制备硅单晶的主要原材料的坩埚由高纯SiO2粉末制备而来,在长晶过程需要承受1500度左右的高温。而坩埚内表面会与熔融状态的硅接触,会在接触面发生反应SiO2+Si→SiO。硅的氧化物(SiO)产生后从自由液面处排出。由于长晶过程中会不断向炉体内部通入氩气,同时利用真空泵使炉内压力保持在设定值。这种方式导致晶体生长过程产生大量混合氧化物的氩气从炉体内部被抽走。[0004]由于炉子内部温度高,使得氩气被加热到1000摄氏度之上,高温气体被真空泵抽走过程中先经过设置在炉体底部的氩气输出管道冷却后再经由排气泵排出。输出管道两端温差大,硅的氧化物(SiO)与输出管道反应,使输出管道被不断氧化,同时产生副产物。氩气输出管道的氧化使得输出管道耐久性差,副产物容易在输出管道管底部沉积,多次使用后,沉积的副产物往往导致氩气输出管道排气不畅。为了继续长晶往往需要频繁进行氩气输出管道的更换,增加长晶成本。[0005]为此,有必要提出一种新的拉晶装置,用以解决现有技术中的问题。发明内容[0006]在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。[0007]本发明提供了一种拉晶装置,所述装置包括:[0008]炉体;[0009]设置在所述炉体顶部的氩气输入管道;[0010]设置在所述炉体底部的氩气输出管道;其中,所述氩气输出管道内壁设置有耐高温层。[0011]示例性地,所述耐高温层包括氮化硅层。[0012]示例性地,所述耐高温层设置为采用通过化学气相沉积的方法沉积在所述氩气输出管道内壁的膜层。[0013]示例性地,所述膜层的厚度的范围为5μm-1mm。[0014]示例性地,所述耐高温层设置为在所述氩气输出管道内设置的可拆卸衬里结构。[0015]示例性地,所述氩气输出管道的材料包括石墨。[0016]示例性地,还包括与所述氩气输出管道相连的冷却管道,所述氩气输出管道通过3CN109797426A说明书2/4页所述冷却管道连接至排气泵。[0017]根据本发明的拉晶装置,通过在