一种真空玻璃封接器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109836055A(43)申请公布日2019.06.04(21)申请号201711224446.2(22)申请日2017.11.29(71)申请人辽宁法库陶瓷工程技术研究中心地址110000辽宁省沈阳市法库县法库镇南外环路38-2号(72)发明人杨国庆李沐春杨殿来许壮志薛健(74)专利代理机构沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229代理人甄玉荃(51)Int.Cl.C03C27/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种真空玻璃封接器件的方法(57)摘要本发明属于玻璃封接技术领域，具体涉及一种真空玻璃封接器件的方法，包括以下步骤：封接器件的装配入炉、低温真空处理、高温保护封接和降温退火处理。在入炉后的低温真空处理步骤中，可以消除玻璃绝缘体内部分气泡、缺陷内的压强，使存在的裂纹展开，与外界形成通道。进而通一定量的保护气进行高温保护封接，加热至封接温度，温度升高，玻璃绝缘体在熔融状态下，自行可弥合裂纹。密闭的炉体高温时保护气体产生的微正压，又减小了玻璃体中气泡的含量。降温退火过程中，又消除了玻璃的内应力。使用此方法封接的器件，有效减少了玻璃体内的气泡含量以及位微裂纹等现象，因此可以提高玻璃封接器件的气密性能、电性能抗压强度等技术指标。CN109836055ACN109836055A权利要求书1/1页1.一种真空玻璃封接器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)封接器件装配入炉，即将装配玻璃封接器件所需的石墨模具、壳体、插针、玻璃绝缘体装配好后，一并放入真空炉内；2)低温真空处理，即将真空炉内真空度抽至小于1Pa，然后升高真空炉温度，温度升高至300-400℃，保温10-15min，充高纯氮气至80KPa-100KPa；3)高温保护封接，将真空炉继续升温至900-1000℃，保温25-40min，此时炉内压强约为110～120KPa；4)降温退火处理，控制降温速率小于30℃/min，将真空炉温度降至500-700℃时，保温10～30min，此时炉内压强约为90-110Kpa，继续随炉冷却，直至室温。2.根据权利要求1所述的真空玻璃封接器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)封接器件装配入炉，即将装配玻璃封接器件所需的石墨模具、壳体、插针、玻璃绝缘体装配好后，一并放入真空炉内；2)低温真空处理，即将真空炉内真空度抽至小于1Pa，然后升高真空炉温度，温度升高至350℃，保温10min，充高纯氮气至90KPa；3)高温保护封接，将真空炉继续升温至935℃，保温30min，此时炉内压强约为112KPa；4)降温退火处理，控制降温速率小于30℃/min，将真空炉温度降至680℃时，保温15min，此时炉内压强约为103Kpa，继续随炉冷却，直至室温。2CN109836055A说明书1/3页一种真空玻璃封接器件的方法技术领域[0001]本发明属于玻璃封接技术领域，具体涉及一种真空玻璃封接器件的方法。背景技术[0002]玻璃封接器件以其较好的机械强度、良好的密封性、耐高温性以及良好的电性能参数等特点，使其成为高压、高应力和高温度场合下使用的高可靠器件。[0003]若玻璃封接器件玻璃体气孔率大(深孔封接)、玻璃表面以及内部存在微裂纹，则直接影响玻璃封接器件的气密性能、电性能、抗压强度等技术指标。发明内容[0004]为了解决上述技术问题，本发明提供一种真空玻璃封接器件的方法，消除了玻璃封接器件玻璃体气孔率大(如深孔封接)、玻璃表面以及内部存在微裂纹明显等现象。[0005]本发明是这样实现的，提供一种真空玻璃封接器件的方法，包括如下步骤：[0006]1)封接器件装配入炉，即将装配玻璃封接器件所需的石墨模具、壳体、插针、玻璃绝缘体装配好后，一并放入真空炉内；[0007]2)低温真空处理，即将真空炉内真空度抽至小于1Pa，然后升高真空炉温度，温度升高至300-400℃，保温10-15min，充高纯氮气至80KPa-100KPa；[0008]3)高温保护封接，将真空炉继续升温至900-1000℃，保温25-40min，此时炉内压强约为110～120KPa；[0009]4)降温退火处理，控制降温速率小于30℃/min，将真空炉温度降至500-700℃时，保温10～30min，此时炉内压强约为90-110Kpa，继续随炉冷却，直至室温。[0010]进一步地，该方法包括如下步骤：[0011]1)封接器件装配入炉，即将装配玻璃封接器件所需的石墨模具、壳体、插针、玻璃绝缘体装配好后，一并放入真空炉内；[0012]2)低温真空处理，即将真空炉内真空度抽至小于1Pa，然后升高真空炉温度，温度升高至350℃，保温10min，充高纯氮气至90KPa；[0013]3)高