一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109935463A(43)申请公布日2019.06.25(21)申请号201910205578.3(22)申请日2019.03.18(71)申请人浙江东阳东磁稀土有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店镇工业区(72)发明人黎龙贵张燕李超胡烈平(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司33109代理人尉伟敏何俊(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)权利要求书1页说明书9页(54)发明名称一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法(57)摘要本发明涉及永磁材料领域，公开了一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，S1：称取钕铁硼各原料以及外加的亲氧性高于铁的添加剂；将所得物料放置于真空速凝炉内抽真空；S2：对物料进行预热，排除水汽；S3：预热结束后，对物料加热熔融；S4：去除浮于熔体表面的氧化物，进行浇铸；将铸片冷却出炉；S5：将铸片进行氢破碎；S6：将物料进行气流磨制粉；S7：对粉料进行成型、烧结后，制得钕铁硼磁体。本发明通过在钕铁硼原料中添加合金类添加剂来降低钕铁硼中氧的含量，该方法能够有效降低重稀土元素的使用量，为生产低成本高性能稀土钕铁硼磁体提供了基础。CN109935463ACN109935463A权利要求书1/1页1.一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于包括以下步骤：S1：称取钕铁硼各原料以及外加的亲氧性高于铁的添加剂；所述添加剂的添加量为总量的0.02-0.2wt%；将所得物料放置于真空速凝炉的坩埚内，将真空速凝炉抽真空；S2：对物料进行预热，排除物料的水汽；S3：预热结束后，对物料进一步加热，使温度到达1400-1500℃；S4：去除浮于S4所得熔体表面的氧化物，进行浇铸，得到铸片；将铸片在惰性气体氛围冷却出炉；S5：将S4所得铸片进行氢破碎；S6：将氢破碎后的物料进行气流磨制粉；S7：对S6所得粉料进行成型、烧结后，制得钕铁硼磁体。2.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼铸片氧含量的方法，其特征在于，S1中，所述添加剂为硅锰合金、硅铁、锰铁、铝铁、硅铝钡钙中的至少一种。3.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S1中，所述钕铁硼各原料为：RaFe100-a-b-cBbMc；质量百分数为35%≥a≥20%，1.2%≥b≥0.9%，6%≥c≥0%，R为Nd、Pr、Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种；M为Co、Ga、Al、Cu、Nb、Zr和Mn中的一种或多种。4.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S1中，按熔点由高至低添加物料，抽真空至≤8Pa。5.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S2中，预热功率为120-200kW。6.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S3中，加热功率为350-550kW，加热时间为7-15min。7.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S4中，在35-45r/min的铜辊转速下进行浇铸，所得铸片平均厚度为0.2-0.4mm。8.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S4中，所述脱性气体为氩气，冷却120-150min。9.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S5中，氢破碎的具体工艺为：将铸片放入到氢破碎炉中抽真空至≤10Pa，向炉内充入氢气进行吸氢反应，吸氢时间为60-210min，吸氢结束后再抽真空加热至500-600℃进行脱氢，脱氢时间为240-420min，脱氢结束后打开炉对炉体进行喷淋冷却至≤60℃，出炉得到钕铁硼细粉。10.如权利要求1所述的一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法，其特征在于，S7中，成型、烧结的具体工艺为：将经过气流磨的粉料放置到磁场≥1.4T的压机内进行成型，成型后的生坯放置到烧结炉内抽真空至5.0×10-1Pa以下按升温度5-10℃/min升温至350-450℃，保温40-80min进行排胶出处理；再按升温速度3-5℃/min升温至850-950℃，保温120-240min，最后按升温速度2-4℃/min升温至1060-1080℃，保温240-360min进行磁体最终致密化再充氩风冷至150℃以下得到烧结后的磁体；烧结后的磁体按升温速度5-8℃/min升温至880℃-920℃保温90min-180min，再风冷至150℃以下完成第一段时效处理，按升温速度5-8℃/min升温至450℃-550℃保温180min-300min风冷至60℃以下出炉完成第二段时效处理。2CN109935463A说明书1/9页一种降低稀土钕铁硼氧含量的方法技术领域[0001]本发明涉及永磁材料领域，尤其涉及一种降低稀土钕