一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110111958A(43)申请公布日2019.08.09(21)申请号201910492683.X(22)申请日2019.06.06(71)申请人宁波科联电子有限公司地址315000浙江省宁波市高新区沧海路189弄2号132幢韵升科技工业一园4号厂房三楼(72)发明人王雄伟贾燕吴关炎(51)Int.Cl.H01C7/02(2006.01)H01C7/04(2006.01)H01C1/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法，包括：一混合器；一搅拌器；一烘箱；一马弗炉；一油压机和一内圆切片机，其中所述油压机连接所述马弗炉以将粉体进行压制成型，随后进行烧结，通过所述内圆切片机进行切片；以及一恒温硅油槽和一热敏电阻分选仪，所述恒温硅油槽连接所述内圆切片机以将切好的芯片进行放置处理，同时所述热敏电阻分选仪设置在所述恒温硅油槽中进行阻值分选，最后重新置入所述烘箱中进行烘烤以完成制备。能够制备纳米级氧化物半导体热敏芯片，并且电极和芯片之间结合程度高，质量稳定。CN110111958ACN110111958A权利要求书1/1页1.一种制造装置，其特征在于，包括：一混合器；一搅拌器，所述搅拌器设置在所述混合器中以搅拌所述混合器中的溶液；一烘箱，所述烘箱设置在所述混合器之后以烘干所述溶液并形成粉体；一马弗炉，所述烘箱连接所述马弗炉以将粉体进行预烧，粉体制备完成；一油压机和一内圆切片机，其中所述油压机连接所述马弗炉以将粉体进行压制成型，随后进行烧结，通过所述内圆切片机进行切片；以及一恒温硅油槽和一热敏电阻分选仪，所述恒温硅油槽连接所述内圆切片机以将切好的芯片进行放置处理，同时所述热敏电阻分选仪设置在所述恒温硅油槽中进行阻值分选，最后重新置入所述烘箱中进行烘烤以完成制备。2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体热敏芯片制造装置，其特征在于，其中所述烘箱的温度为75℃，所述马弗炉的温度范围为870℃±5℃。3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体热敏芯片制造装置，其特征在于，所述恒温硅油槽的温度范围为25℃±0.005℃。4.一种热敏芯片，其特征在于，包括：所述热敏芯片应用权利要求1-3所述的制造装置制备而成，所述热敏芯片的尺寸为1.01mm*1.01mm*0.49mm。5.根据权利要求4所述的热敏芯片，其特征在于，所述热敏芯片的尺寸为1.02mm*1.02mm*0.50mm。6.一种制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）混合硝酸铁、硝酸铝、乙酸锰、乙酸镍为原料所形成的水溶液；（b）加入柠檬酸铵的水溶液继续搅拌一小时，形成溶胶；（c）置于75℃烘箱中脱水，直到形成干凝胶；（d）置于真空烘箱中先在250℃±5℃预分解10小时，然后在450℃±5℃分解12小时，分解完成后，将粉体置于870℃±5℃的马弗炉中预烧5小时，即得纳米金属氧化物粉体材料;（e）将粉体压制成型成直径为Φ58mm～62mm的柱体，用保鲜袋包好后进行等静压，保压时间10分钟，然后在以1.5℃/分钟的升降温速度升至1200±5℃，并在此温度下烧结3小时，烧成陶瓷块体；（f）切片并蒸镀电极，将芯片置于25℃±0.005℃恒温硅油槽内放置3min，使用热敏电阻分选仪对芯片进行阻值分选，最后置于100℃±5℃烘箱烘烤1小时完成制备完成制备。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，其中步骤（a）的水溶液的成分是按照硝酸铁22mol%，硝酸铝8mol%，乙酸锰38mol%，乙酸镍32mol%的比例称取2摩尔金属盐加入蒸馏水制成近似饱和的水溶液。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中步骤（a）的水溶液的成分是按照硝酸铁18mol%，硝酸铝6mol%，乙酸锰35mol%，乙酸镍41mol%的比例称取2摩尔金属盐加入蒸馏水制成近似饱和的水溶液。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，其中步骤（e）中的静压压强范围为310-350MPa。2CN110111958A说明书1/5页一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及热敏芯片领域，尤其涉及用于温度测量、温度控制和/或温度补偿等的纳米级的一种热敏芯片、一种制造装置及其制造方法。背景技术[0002]热敏芯片是随着温度变化其电阻表现出相应巨大变化的陶瓷半导体，具有极高的电阻温度系数和相对温度特性的极为精确的电阻，是热敏电阻类温度传感器的核心部件。由于热敏芯片灵敏度高、测温精确、稳定且成本优势突出，是目前性价比最高、应用最广泛的测、控温器件。热敏芯片类温度传感器主要的应用领域包括：商业消费电子产品、交通