SE太阳能电池的碱刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110176521A(43)申请公布日2019.08.27(21)申请号201910511866.1(22)申请日2019.06.13(71)申请人常州时创能源科技有限公司地址213300江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号(72)发明人陈其成邓雨微张益荣(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称SE太阳能电池的碱刻蚀方法(57)摘要本发明提供一种SE太阳能电池的碱刻蚀方法，包括如下步骤：1）扩散；2）镭射掺杂；3）在氧化炉中对硅片进行热氧化，使硅片正面生成一层氧化层；4）去除硅片背面PSG；5）碱刻蚀；6）去除硅片正面PSG；7）清洗烘干。本发明其在镭射掺杂之后、去除硅片背面PSG之前，在硅片正面生成一层氧化层，该氧化层可在碱刻蚀过程中保护激光开槽区域，避免激光开槽区域被碱刻蚀液腐蚀。CN110176521ACN110176521A权利要求书1/1页1.SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：1）扩散；2）镭射掺杂；3）在氧化炉中对硅片进行热氧化，使硅片正面生成一层氧化层；4）去除硅片背面PSG；5）碱刻蚀。2.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，步骤3）中，所述氧化层的厚度为2～30nm。3.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，步骤3）中，所述氧化炉中的氧化气体为氧气。4.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，步骤3）中，所述热氧化的温度为300～750℃，时间为2～15min。5.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，步骤3）中，所述氧化炉为链式氧化炉。6.根据权利要求1所述的SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其特征在于，还包括如下步骤：6）去除硅片正面PSG；7）清洗烘干。2CN110176521A说明书1/2页SE太阳能电池的碱刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及SE太阳能电池的碱刻蚀方法。背景技术[0002]SE（SelectiveEmitter选择性发射极）太阳能电池制造过程中，为了对金属栅线（电极）与硅片接触部位进行重掺，需要采用镭射设备按照栅线图案对晶硅扩散片进行激光开槽重掺，但激光扫描过程中，激光开槽区域的PSG会被破坏，在后续的碱刻蚀中，被破坏的PSG不足以保护激光开槽区域，激光开槽区域会被碱刻蚀液腐蚀，以致短路电流、开路电压和填充因子均低。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其在镭射掺杂之后、去除硅片背面PSG之前，在硅片正面生成一层氧化层，该氧化层可在碱刻蚀过程中保护激光开槽区域，避免激光开槽区域被碱刻蚀液腐蚀。[0004]为实现上述目的，本发明提供一种SE太阳能电池的碱刻蚀方法，包括如下步骤：1）扩散；2）镭射掺杂；3）在氧化炉中对硅片进行热氧化，使硅片正面生成一层氧化层；4）去除硅片背面PSG；5）碱刻蚀。[0005]优选的，步骤3）中，所述氧化层的厚度为2～30nm。[0006]优选的，步骤3）中，所述氧化炉中的氧化气体为氧气。[0007]优选的，步骤3）中，所述热氧化的温度为300～750℃，时间为2～15min。[0008]优选的，步骤3）中，所述氧化炉为链式氧化炉。[0009]优选的，所述SE太阳能电池的碱刻蚀方法，还包括如下步骤：6）去除硅片正面PSG；7）清洗烘干。[0010]本发明的优点和有益效果在于：提供一种SE太阳能电池的碱刻蚀方法，其在镭射掺杂之后、去除硅片背面PSG之前，在硅片正面生成一层氧化层，该氧化层可在碱刻蚀过程中保护激光开槽区域，避免激光开槽区域被碱刻蚀液腐蚀。[0011]虽然扩散的过程中也会在硅片正面生成一层氧化层，但该氧化层会在镭射掺杂的过程中被激光破坏，进而不能有效保护激光开槽区域不被碱刻蚀液腐蚀。[0012]虽然可以在扩散的过程中特意加厚氧化层（如采用两步扩散法来加厚氧化层），以避免激光开槽区域的氧化层在镭射掺杂过程中被激光完全破会，但激光开槽区域的氧化层厚度会影响镭射的工艺窗口，故加厚氧化层会提高镭射掺杂的工艺要求，且激光开槽区域加厚的氧化层若厚度不均，会导致各处的掺杂效率、掺杂效果参差不齐；而且激光开槽区域3CN110176521A说明书2/2页加厚的氧化层若厚度不均，不能保证镭射掺杂之后，激光开槽区域各处残留的氧化层厚度都能达到抗碱腐蚀的要求，会导致成品良率下降。本发明在镭射掺杂之后再在硅片正面生成一层氧化层，该氧化层丝毫不会影响镭射掺杂的进行，故可避免上述这些问题。[0013]另外，采用两步扩散法来加厚氧化层，第二步扩散时的高温会加深第一步扩散所