一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110592406A(43)申请公布日2019.12.20(21)申请号201910956260.9C22C1/06(2006.01)(22)申请日2019.10.10C22F1/057(2006.01)C23C14/34(2006.01)(71)申请人新疆众和股份有限公司地址830000新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市高新区喀什东路18号众和公司科技管理办公室(72)发明人马小红徐亚军乔晶努力古·依明张博郭永强刘江滨(74)专利代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348代理人孟阿妮张小勇(51)Int.Cl.C22C1/03(2006.01)C22C21/12(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图7页(54)发明名称一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法(57)摘要本发明为一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法。一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法，包括：S10：将99.999-99.9995％纯度的高纯铝与99.999％以上纯度的高纯铜进行真空熔融，得中间合金液：S20：将99.9995wt％以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液进行熔炼，熔炼温度在720-800℃，完全熔融后，控制合金液温度到达730±5℃，静置保温15min；S30：进行炉内精炼；S40：进行在线精炼；S50：进行双极过滤；S60：进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。本发明所述的一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法，该方法该使用超高纯铝原料及高纯铝铜中间合金，通过半连续铸造，制备出杂质元素含量低、组织均匀的高纯铝铜合金棒材。CN110592406ACN110592406A权利要求书1/1页1.一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：将99.999-99.9995％纯度的高纯铝与99.999％以上纯度的高纯铜在真空熔炼炉中熔融，控制熔融温度在800-850℃，完全融化后，进行搅拌，得中间合金液1：所述的中间合金液1中铜元素的含量为20-25wt％；S20：将99.9995wt％以上纯度的高纯铝锭与所述的中间合金液加入中频熔炼炉中进行熔炼，熔炼温度在720-800℃，完全熔融后，搅拌均匀，再控制合金液温度到达730±5℃，静置保温15min，得中间合金液2；S30：将所述的中间合金液2采用高纯氩气进行炉内精炼，精炼完成后，静置时间20min，得中间合金液3；S40：将所述的中间合金液3采用高纯氩气进行在线精炼，得中间合金液4；S50：将所述的中间合金液4进行双极过滤，得中间合金液5；S60：将所述的中间合金液5进行φ120-164mm棒材坯料铸造，得所述的溅射用高纯铝铜合金靶材坯料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S10中，搅拌时间不少于15min；所述的S20中，搅拌时间不少于15min。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S20中，静置保温15min，取样检测铜元素含量，如满足0.4-0.6％质量配比则开始炉内精炼，如不满足上述质量配比则二次添加中间合金调整至需求配比。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S30中，氩气流量为3-5m3/h，精炼时间25-40min，精炼温度730-740℃。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S40中，氩气流量为3-5m3/h，精炼时间15-20min，精炼温度730-740℃。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S50中，双极过滤指采用一块40PPI和一块50PPI孔隙度过滤板进行在线过滤。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的S60中，采用半连续铸造机水冷进行φ120-164mm棒材坯料铸造，控制结晶器内合金液温度为670-690℃，铸造速度100-120mm/min，冷却水流量1000-1200L/min。2CN110592406A说明书1/7页一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法技术领域[0001]本发明属于溅射靶材技术领域，具体涉及一种溅射用高纯铝铜合金靶材坯料的制备方法。背景技术[0002]溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度流的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基体表面。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。[0003]铝电子薄膜由于电阻率较低(室温为2.7μΩ·cm)、易沉积、易刻蚀、工艺成熟等优点，作为电极或者互连线材料广泛应用于集成电路、分立器件以及新型显示等电子信息领域。纯铝工艺由于存在硅铝固态互