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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110629280A(43)申请公布日2019.12.31(21)申请号201911036220.9(22)申请日2019.10.29(71)申请人合肥科晶材料技术有限公司地址230088安徽省合肥市高新区柏堰科技园团山路8号(72)发明人邾根祥朱沫浥王伟安唐林(74)专利代理机构合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙)34155代理人王芸(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B15/10(2006.01)C30B15/30(2006.01)C30B29/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称晶体生长悬浮提拉炉(57)摘要本发明提供一种单晶生长悬浮提拉炉,包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构;水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接,不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构,坩埚升降机构锈钢腔室密封连接,坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接,不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接,抽真空组件安装在支架上,本发明相对于以往的晶体生长炉结构小,各方面功能可以精确控制,适合用研究所和各大院校针对金属晶体的研究,各个控制部分采用模块化,可自由进行选择,为金属单晶生长的研究提供了更大的可能性。CN110629280ACN110629280A权利要求书1/1页1.一种单晶生长悬浮提拉炉,包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构;其特征在于:所述水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接,不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构,坩埚升降机构锈钢腔室密封连接,坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接,所述不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接,抽真空组件安装在支架上,所述抽真空组件、水冷机、不锈钢腔室、感应射频电源、提拉机构及坩埚升降机构通过整体电路控制装置进行控制。2.根据权利要求1所述的晶体生长悬浮提拉炉,其特征在于:水冷铜坩埚采用16个水冷铜瓣组成,最大熔样品量为60g。3.根据权利要求1所述的晶体生长悬浮提拉炉,其特征在于:不锈钢水冷真空腔室采用304不锈钢双层水冷腔体,确保设备工作时表明温度≤40℃,腔体上有观察窗口、四芯陶峰电机、真空压力表及抽真空孔,抽真空孔与抽真空组件连通。4.根据权利要求1所述的晶体生长悬浮提拉炉,其特征在于:抽真空部分,采用分子泵系统,真空泵和电动插板阀对腔体进行抽真空。5.根据权利要求1所述的晶体生长悬浮提拉炉,其特征在于:所述提拉机构带水冷,水冷内制冷也通过水冷机输送,提拉机构具有手动和自动两种模式。6.根据权利要求1所述的晶体生长悬浮提拉炉,其特征在于:坩埚升降机构,采用动密封系统,通过手摇微调坩埚上下的位置,调整坩埚与感应线圈的距离,确保熔炼时合适的磁场和观察角度。2CN110629280A说明书1/3页晶体生长悬浮提拉炉技术领域[0001]本发明涉及晶体生长设备技术领域,具体为一种晶体生长悬浮提拉炉。背景技术[0002]目前,晶体生长炉已经广泛应用在研究院校和实验当中。现在技术的晶体生长炉,大多数都是用于实验室中提拉生长各种氧化物单晶和金属单晶,而对于针对单方面的金属单晶生长的炉子国内还没有涉及。发明内容[0003]本发明所解决的技术问题在于提供一种晶体生长悬浮提拉炉,以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:[0005]一种单晶生长悬浮提拉炉,包括水冷铜坩埚、不锈钢腔室、感应射频电源、整体电路控制装置、水冷机、抽真空组件、提拉机构和坩埚升降机构;所述水冷铜坩埚设在不锈钢腔室内部并与其滑动连接,不锈钢腔室底部设有坩埚升降机构,坩埚升降机构锈钢腔室密封连接,坩埚升降机构上端与水冷铜坩埚连接,所述不锈钢腔室外侧与抽真空组件连接,抽真空组件安装在支架上,所述抽真空组件、水冷机、不锈钢腔室、感应射频电源、提拉机构及坩埚升降机构通过整体电路控制装置进行控制。[0006]优选的,水冷铜坩埚采用16个水冷铜瓣组成,最大熔样品量为60g。[0007]优选的,不锈钢水冷真空腔室采用304不锈钢双层水冷腔体,确保设备工作时表明温度≤40℃,腔体上有观察窗口、四芯陶峰电机、真空压力表及抽真空孔,抽真空孔与抽真空组件连通。[0008]优选的,抽真空部分,采用分子泵系统,真空泵和电动插板阀对腔体进行抽真空。[0009]优选的,所述提拉机构带水冷,水冷内制冷也通过水冷机输送,提拉机构具有手动和自动两种模式。[0010]优选的,坩埚升降机构,采用动密封系统,通过手摇微调坩埚上下的位置,调整坩埚与感应线圈的距离,确保熔炼时合适的磁场和观察角度。[0011]与现有技术相