一种气相沉积炉内气体悬浮装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110760820A(43)申请公布日2020.02.07(21)申请号201911233422.2(22)申请日2019.12.05(71)申请人深圳市志橙半导体材料有限公司地址518000广东省深圳市宝安区松岗街道潭头社区健仓科技研发厂区办公楼307(72)发明人黄洪福蓝图袁永红雷宏涛(74)专利代理机构深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)44451代理人罗志伟(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种气相沉积炉内气体悬浮装置(57)摘要本发明提供了一种气相沉积炉内气体悬浮装置，包括平行设置并且旋转配合的石墨盘和底座，所述底座上设有主进气孔、第一分气孔、第二分气孔、第一倾斜出气孔和第二倾斜出气孔，所述第一分气孔、第二分气孔分别位于所述主进气孔的两侧，所述第一分气孔、第二分气孔分别与所述主进气孔交汇连通于同一点。本发明的有益效果是：在主进气孔的同一位置分出第一分气孔、第二分气孔，再分别通过第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔产生旋转气体，推动石墨盘悬浮并转动，保证了气体流动阻力一致，有效保证了两倾斜气体流量一样，悬浮效果好，旋转顺畅，可显著提高薄膜均匀性以及质量，并有效延长装置的使用周期。CN110760820ACN110760820A权利要求书1/1页1.一种气相沉积炉内气体悬浮装置，包括平行设置并且旋转配合的石墨盘和底座，其特征在于：所述底座上设有主进气孔、第一分气孔、第二分气孔、第一倾斜出气孔和第二倾斜出气孔，所述第一分气孔、第二分气孔分别位于所述主进气孔的两侧，所述第一分气孔、第二分气孔分别与所述主进气孔交汇连通于同一点，所述第一分气孔与所述第一倾斜出气孔连接，所述第二分气孔与所述第二倾斜出气孔连接，所述主进气孔、第一分气孔、第一倾斜出气孔连通形成第一气道，所述主进气孔、第二分气孔、第二倾斜出气孔连通形成第二气道，所述第一气道、第二气道用于产生旋转气体，推动所述石墨盘悬浮并转动。2.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述第一分气孔、第二分气孔的轴线相重合，所述第一分气孔、第二分气孔分别垂直于所述主进气孔。3.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述主进气孔、第一分气孔、第二分气孔的轴线均平行于水平面，所述第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔的轴线均与水平面成锐角。4.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔对称设置。5.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔的表面均覆盖有碳化硅涂层。6.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述底座上设有气道镶块，所述第一分气孔、第二分气孔、第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔均位于所述气道镶块之内，所述底座与所述气道镶块为密封配合。7.根据权利要求1所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述石墨盘贴合所述底座的底面上设有与所述第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔相对应的旋转气槽，所述第一倾斜出气孔、第二倾斜出气孔射出的倾斜气体进入所述旋转气槽产生旋转气体，推动所述石墨盘悬浮并转动。8.根据权利要求7所述的气相沉积炉内气体悬浮装置，其特征在于：所述旋转气槽有多道并沿所述石墨盘的周向间隔均匀设置，所述旋转气槽自所述石墨盘的中心向外延伸，所述旋转气槽与所述石墨盘的径向呈锐角。2CN110760820A说明书1/3页一种气相沉积炉内气体悬浮装置技术领域[0001]本发明涉及气相沉积炉，尤其涉及一种气相沉积炉内气体悬浮装置。背景技术[0002]气相沉积的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸气为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转装置，可以达到稳定生产的目的。[0003]现有技术的石墨盘旋转装置通常包括石墨盘和底座，底座中主气道和两个倾斜气孔直接连接，用于产生旋转气体推动石墨盘悬浮并转动，倾斜气孔一个在前，一个在后，流经前气孔的阻力比后气孔的阻力小，故流过前气孔的气体多，前气孔受到工艺气体的腐蚀也大，导致前气孔孔径变大影响到气体流量均匀性，从而容易影响到石墨盘