一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置.pdf
Ma****57
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一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置.pdf
本申请公开了一种本申请涉及一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置,属于半导体材料制备领域。该大尺寸碳化硅单晶的制备方法,其包括下述步骤:提供坩埚和籽晶柱;将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔,将籽晶柱安装在坩埚内,组装后放入长晶炉;升高长晶炉的温度,使得原料升华后的升华气体穿过夹层的内侧壁并沿径向气相传输至籽晶柱表面,进行长晶,即制得碳化硅单晶。该制备方法可以制得任意体积的碳化硅单晶,尤其大体积和高厚度,长晶效率高,切割的衬底的片数多;该方法制得的碳化硅单晶的零微管、螺位错低于100cm
一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置.pdf
本申请公开了一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置,属于半导体材料制备领域。该制备方法包括:将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔,将籽晶柱安装在坩埚内,组装后放入长晶炉;升高长晶炉温度,使得原料升华后的升华气体穿过夹层内侧壁并沿径向气相传输至籽晶柱表面长晶得掺杂碳化硅单晶;所述包括碳化硅,和;原料还包括固相掺杂剂和/或,向坩埚内通入的气相掺杂剂。该方法可以制得任意体积的掺杂碳化硅单晶,尤其体积大和厚度高,长晶效率高,切割的衬底片数多;该方法制得的掺杂碳化硅单晶的零微管、螺位错低于100cm
一种大尺寸碳化硅单晶生长装置.pdf
本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长装置,涉及晶体生长技术领域,包括主体,所述主体的前端设置有加热箱,所述主体的上端设置有第一竖孔,所述加热箱的外部顶端安装有调节机构,所述加热箱的内腔中间设置有埚盖,所述埚盖的下端安装有生长坩埚,所述生长坩埚的外部两侧安装有保温机构,所述生长坩埚的下方设置有空腔,所述空腔的中间安装有升降机构。本发明通过支架安装在加热箱的上端,在使用时,驱动电机,带动顶端的主动轮顺时针转动,从而通过驱动带在带动一侧的从动轮,再由从动轮带动下端的滑杆和竖轴进行转动,从而同步带动下方的生长坩埚
一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置.pdf
本发明提供一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置,包括生长炉、X射线原位成像模块和控制系统,生长炉由外至内包括炉壁、保温毡、板型电阻加热器和坩埚,X射线原位成像模块包括分别设于生长炉的单晶生长的径向方向的相对两侧的X射线源和X射线成像接收器;炉壁于径向方向的两侧具有用于X射线透过的非金属窗口,保温毡、板型电阻加热器和坩埚均由非金属材料制成;控制系统接收X射线成像接收器的成像信号,并控制X射线源和板型电阻加热器工作。该生长装置可满足大尺寸碳化硅PVT单晶生长所需的较小径向温度梯度和必要的轴向温度梯度,并且利用
一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法.pdf
本申请公开了一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法,属于半导体材料领域。该制备方法包括将原料和籽晶置于坩埚,组装坩埚和保温结构置于长晶炉内,长晶炉侧壁外围设置热线圈组,安装调节机构;除杂;长晶;其中,加热线圈组包括与原料区对应设置的第一线圈组和,与长晶区对应设置的第二线圈组,沿自原料至籽晶的方向,第二线圈组的内径增大。该碳化硅单晶的制备方法设置形成生长腔内的轴向温度梯度,可以制得高质量的碳化硅单晶;调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度,提高长晶速率和长晶质量;在降低径向温度梯度的同时,可以保证具有一定的