SiC外延生长装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111261502A(43)申请公布日2020.06.09(21)申请号201911163010.6(22)申请日2019.11.25(30)优先权数据2018-2255202018.11.30JP(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人梅田喜一渥美广范(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人王潇悦段承恩(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图7页(54)发明名称SiC外延生长装置(57)摘要本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。CN111261502ACN111261502A权利要求书1/1页1.一种SiC外延生长装置，具备载置台和炉体，所述载置台用于载置SiC晶片，所述炉体遮盖所述载置台，并在内部具有生长空间，所述炉体具备：原料气体供给口，其位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，第1吹扫气体供给口，其包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，第2吹扫气体供给口，其包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。2.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，从所述第2吹扫气体供给口供给的吹扫气体的流速比从所述第1吹扫气体供给口供给的吹扫气体的流速慢。3.根据权利要求1或2所述的SiC外延生长装置，所述第1吹扫气体供给口以10m/s以上且100m/s以下的流速向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口以0.1m/s以上且10m/s以下的流速向所述生长空间供给吹扫气体。4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC外延生长装置，所述第2吹扫气体供给口位于距离所述第1吹扫气体供给口的外周为0.5mm以上的外侧。5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC外延生长装置，所述第1吹扫气体供给口连续地包围所述原料气体供给口的外周，所述第2吹扫气体供给口散布在所述第1吹扫气体供给口的周围。6.根据权利要求1～5中任一项所述的SiC外延生长装置，所述原料气体供给口是向所述生长空间供给原料气体的原料气体供给管的第1端，第1吹扫气体供给口是向所述生长空间供给吹扫气体的第1吹扫气体供给管的第1端，所述第2吹扫气体供给口是在将生长空间与预处理室隔开的隔壁上形成的贯穿孔。7.根据权利要求1～6中任一项所述的SiC外延生长装置，具有多个所述原料气体供给口，多个所述原料气体供给口具有Si系气体供给口和C系气体供给口，所述第2吹扫气体供给口位于所述Si系气体供给口的周围。2CN111261502A说明书1/8页SiC外延生长装置技术领域[0001]本发明涉及SiC外延生长装置。[0002]本申请基于2018年11月30日在日本提出的专利申请2018-225520号主张优先权，将其内容引用于此。背景技术[0003]碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比绝缘击穿电场大1个数量级，并且带隙大3倍，而且热传导率高3倍左右等特性。因此，期待碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。[0004]要促进SiC器件的实用化，确立高品质的SiC外延晶片和高品质的外延生长技术是不可缺少的。[0005]SiC器件是使用SiC外延晶片制作的，所述SiC外延晶片是从采用升华再结晶法等生长出的SiC的体单晶加工得到SiC晶片，并采用化学气相生长法(ChemicalVaporDeposition：CVD)等在上述得到的SiC晶片上生长成为器件活性区域的外延膜而得到的。再者，本说明书中，SiC外延晶片是指外延膜形成后的晶片，SiC晶片是指外延膜形成前的晶片。[0006]专利文献1记载了一种碳化硅半导体的制造装置，其具有朝向生长室侧逐渐展开的导入口。专利文献1所记载的碳化硅半导体的制造装置，能够通过扩展各种气体的导入范围，来抑制SiC半导体基板中的载流子密度的面内分布差。[0007]现有技术文献[0008]专利文献1：日本特开2017-11182号公报发明内容[0009]原料气体在生长室内分解之后反应，变为SiC。Si系原料气体和C系原料气体在气体的供给口附近分解并反应时，在气体的供给口附近产生SiC的附着物。SiC的附着物扰乱原料气体等的流动。原料气体等的流动是决定SiC外延膜品质的主要原因之一。