外延生长装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114855271A(43)申请公布日2022.08.05(21)申请号202210428945.8(22)申请日2022.04.22(71)申请人浙江求是半导体设备有限公司地址311100浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室(72)发明人王树林曹建伟(74)专利代理机构杭州华进联浙知识产权代理有限公司33250专利代理师高礼强(51)Int.Cl.C30B25/12(2006.01)C30B25/14(2006.01)C30B25/16(2006.01)C30B25/08(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称外延生长装置(57)摘要本申请涉及外延生长装置，外延生长装置包括炉体，炉体设有反应腔，反应腔内分别设有水平设置的第一反应基座和第二反应基座，第一反应基座和第二反应基座沿着水平方向间隔设置。炉体还设有分别连通反应腔的第一进气部、第二进气部和出气部，第一反应基座设于第一进气部和出气部之间，第二反应基座设于第二进气部和出气部之间；反应介质能够分别通过第一进气部和第二进气部进入反应腔，并通过出气部离开反应腔。本申请提供的外延生长装置，解决了现有的外延炉的外延层产出效率过低的问题。CN114855271ACN114855271A权利要求书1/2页1.一种外延生长装置，其特征在于，包括炉体(110)，所述炉体(110)设有反应腔(111)，所述反应腔(111)内分别设有水平设置的第一反应基座(120)和第二反应基座(130)，所述第一反应基座(120)和所述第二反应基座(130)沿着水平方向间隔设置；所述炉体(110)还设有分别连通所述反应腔(111)的第一进气部(112)、第二进气部(113)和出气部(114)，所述第一反应基座(120)设于所述第一进气部(112)和所述出气部(114)之间，所述第二反应基座(130)设于所述第二进气部(113)和所述出气部(114)之间；反应介质能够分别通过所述第一进气部(112)和所述第二进气部(113)进入所述反应腔(111)，并通过所述出气部(114)离开所述反应腔(111)。2.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，所述第一反应基座(120)和所述第二反应基座(130)位于同一水平高度。3.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，所述出气部(114)位于所述炉体(110)的中部，且所述炉体(110)关于所述出气部(114)中心线所在的竖直平面呈镜像对称。4.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，还包括供气组件，所述供气组件用于提供反应介质，所述供气组件分别连通所述第一进气部(112)和所述第二进气部(113)，且通过所述第一进气部(112)的反应介质的径流量等于通过所述第二进气部(113)的反应介质的径流量。5.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，还包括旋转组件(150)，所述旋转组件(150)分别连接所述第一反应基座(120)和所述第二反应基座(130)，且所述旋转组件(150)能够分别驱动所述第一反应基座(120)和所述第二反应基座(130)同步自转。6.根据权利要求5所述的外延生长装置，其特征在于，所述旋转组件(150)包括旋转驱动电机(151)、旋转传动蜗轮、旋转传动蜗杆(153)、第一转动杆(154)和第二转动杆(155)，所述旋转传动蜗轮连接于所述旋转驱动电机(151)的输出轴，所述旋转传动蜗杆(153)的中部区域啮合连接所述旋转传动蜗轮，以使所述旋转驱动电机(151)驱动所述旋转传动蜗轮带动所述旋转传动蜗杆(153)自转；所述旋转传动蜗杆(153)的两端分别啮合连接所述第一转动杆(154)和所述第二转动杆(155)，以分别带动所述第一转动杆(154)和所述第二转动杆(155)自转，所述第一转动杆(154)远离所述旋转传动蜗杆(153)的一端连接所述第一反应基座(120)，以带动所述第一反应基座(120)围绕中心轴自转，述第二转动杆(155)远离所述旋转传动蜗杆(153)的一端连接所述第二反应基座(130)，以带动所述第二反应基座(130)围绕中心轴自转。7.根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，还包括升降组件(160)，所述升降组件(160)与所述第一反应基座(120)沿着竖直方向活动配合，以控制设于所述第一反应基座(120)上的硅片(500)与所述第一反应基座(120)在竖直方向上的间距；所述升降组件(160)与所述第二反应基座(130)沿着竖直方向活动配合，以控制设于所述第二反应基座(130)上的硅片(500)与所述第二反应基座(130)在竖直方向上的间距。8.根据权利要求7所述的外延生长装置，其特征在于，所述升降组件(1