一种人工石墨散热膜碳化工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111533119A(43)申请公布日2020.08.14(21)申请号202010341157.6(22)申请日2020.04.27(71)申请人安徽恒炭新材料科技有限公司地址241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区南区杨河路42号(72)发明人朱先磊葛志远王星(51)Int.Cl.C01B32/205(2017.01)权利要求书1页说明书7页(54)发明名称一种人工石墨散热膜碳化工艺(57)摘要本发明公开了一种人工石墨散热膜碳化工艺，包括以下步骤：步骤一：获取PI膜卷材；步骤二：装炉；步骤三：抽真空，持续维持碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa；步骤四：一阶升温，使碳化炉内的温度由常温升至400～500℃；步骤五：二阶升温，使碳化炉内的温度由400～500℃升至800～900℃；步骤六：三阶升温，使碳化炉内的温度由800～900℃升至1400～1600℃；步骤七：一级冷却，让碳化炉内的温度自然冷却至250～350℃；步骤八：破真空，当碳化炉内的温度冷却至250～350℃时打开碳化炉炉壁上的阀门；步骤九：二级冷却，破真空后自然冷却。本发明针对现有石墨散热膜表面的凸点、亮点和拱边缺陷严重等问题进行改进，本发明具有减少石墨散热膜表面的凸点、亮点和拱边缺陷的优点。CN111533119ACN111533119A权利要求书1/1页1.一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：获取PI膜卷材，通过复卷机将PI膜卷成卷状，获得PI膜卷材；步骤二：装炉，将所述PI膜卷材盛放到舟皿中，然后再将所述舟皿送入到碳化炉中，关闭炉门；步骤三：抽真空，通过真空泵机组对所述碳化炉进行抽真空处理，直至所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa，然后持续维持所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa；步骤四：一阶升温，当所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa时进行一阶升温，使所述碳化炉内的温度由常温升至400～500℃；步骤五：二阶升温，当所述碳化炉内的温度升至400～500℃时进行二阶升温，使所述碳化炉内的温度由400～500℃升至800～900℃；步骤六：三阶升温，当所述碳化炉内的温度升至800～900℃时进行三阶升温，使所述碳化炉内的温度由800～900℃升至1400～1600℃；步骤七：一级冷却，当所述碳化炉内的温度升至1400～1600℃时停止升温，让所述碳化炉内的温度自然冷却至250～350℃；步骤八：破真空，当所述碳化炉内的温度冷却至250～350℃时打开所述碳化炉炉壁上的阀门，使外部气体进入到所述碳化炉的内部，破掉所述碳化炉内部的真空状态；步骤九：二级冷却，破真空后，让所述碳化炉内的温度自然冷却至室温，完成所述PI膜的碳化。2.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤三中，通过调节所述真空泵机组的抽气速率来维持所述碳化炉内的气压为-0.1～-0.09MPa，当所述碳化炉内的气压高于-0.1～-0.09MPa时，调大所述真空泵机组上的调速阀门，使所述真空泵机组的抽气速度提升，当所述碳化炉内的气压高低于-0.1～-0.09MPa时，调小所述真空泵机组上的调速阀门，使所述真空泵机组的抽气速度降低。3.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤四中，所述一阶升温的升温速度保持在10～12℃/min。4.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤五中，所述二阶升温的升温速度保持在0.5～1℃/min。5.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜碳化工艺，其特征在于，步骤六中，所述三阶升温的升温速度保持在2～4℃/min。2CN111533119A说明书1/7页一种人工石墨散热膜碳化工艺技术领域[0001]本发明涉及人工石墨散热膜加工技术领域，尤其涉及一种人工石墨散热膜碳化工艺。背景技术[0002]人工石墨散热膜是一种很薄导热材料，又称为导热石墨膜，导热石墨片，石墨散热片等，为电子产品的薄型化发展提供了可能。人工石墨散热膜具有良好的再加工性，可根据用途与PET等其他薄膜类材料复合或涂胶，这种材料有弹性，可裁切冲压成任意形状，可多次弯折；适用于将点热源转换为面热源的快速热传导，具有很高的导热性能，是由一种高度定向的石墨聚合物薄膜制成。目前，人工石墨散热膜广泛的应用于PDP、LCDTV、NotebookPC、UMPC、FlatPanelDisplay、MPU、Projector、PowerSupply、LED，MID,移动电话；DVD；数码相机；电脑及周边设备；传感器；半导体生产设备；光纤通信设备等电子产品中。人工石墨散热膜的制备包括制备PI膜、绕卷、碳化、石墨化、压延等多