一种人工石墨散热膜石墨化工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112551519A(43)申请公布日2021.03.26(21)申请号202010329599.9(22)申请日2020.04.24(71)申请人安徽恒炭新材料科技有限公司地址241000安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区南区杨河路42号(72)发明人朱先磊葛志远王星(51)Int.Cl.C01B32/205(2017.01)C09K5/14(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种人工石墨散热膜石墨化工艺(57)摘要本发明公开了一种人工石墨散热膜石墨化工艺，包括以下步骤：步骤一：获得碳化膜；步骤二：装炉，将碳化膜通过舟皿送入到石墨炉中；步骤三：抽真空，将石墨炉的内腔抽至真空状态；步骤四：填充惰性保护气体；步骤五：一阶升温，使石墨炉内的温度由常温升至1150～1250℃；步骤六：二阶升温，使石墨炉内的温度由1150～1250℃升至2000～2100℃；步骤7：三阶升温，使石墨炉内的温度由2000～2100℃升至3000～3100℃；步骤8：保温，当石墨炉内腔中的温度升至3000～3100℃时，开始保温；步骤9：冷却，保温后进行冷却。本发明针对现有技术中人工石墨散热膜的耐弯折性能差、导热性能差等问题进行改进，本发明具有提高人工石墨散热膜的耐弯折性能和导热性能的优点。CN112551519ACN112551519A权利要求书1/1页1.一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：获得碳化膜，将PI膜通过舟皿送入碳化炉中进行碳化，获得碳化膜；步骤二：装炉，将所述碳化膜通过所述舟皿送入到石墨炉中，然后关闭炉门；步骤三：抽真空，将所述石墨炉的内腔抽至真空状态；步骤四：填充惰性保护气体，向抽成真空后的所述石墨炉的内腔中填充惰性保护气体；步骤五：一阶升温，当所述石墨炉内的气压高于大气压2～4kPa时进行一阶升温，使所述石墨炉内的温度由常温升至1150～1250℃；步骤六：二阶升温，当所述石墨炉内腔中的温度升至1150～1250℃时进行二阶升温，使所述石墨炉内的温度由1150～1250℃升至2000～2100℃；步骤七：三阶升温，当所述石墨炉内腔中的温度升至2000～2100℃时进行三阶升温，使所述石墨炉内的温度由2000～2100℃升至3000～3100℃；步骤八：保温，当所述石墨炉内腔中的温度升至3000～3100℃时，开始保温；步骤九：冷却，保温后，让所述碳化膜随着所述石墨炉自然冷却至室温，完成所述碳化膜的石墨化。2.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤四中，填充所述惰性保护气体的过程中，当所述石墨炉内的气压高于大气压2～4kPa时，保持所述惰性保护气体的流速为8～12L/min。3.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤四中，所述惰性保护气体为氩气。4.如权利要求3所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，所述氩气的纯度大于99.999％。5.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤五中，所述一阶升温的升温速度保持在20～26℃/min。6.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤六中，所述二阶升温的升温速度保持在0.8～1.2℃/min。7.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤七中，所述三阶升温的升温速度保持在2.5～3.5℃/min。8.如权利要求1所述的一种人工石墨散热膜石墨化工艺，其特征在于，步骤八中，所述保温的时间为60～90min。2CN112551519A说明书1/6页一种人工石墨散热膜石墨化工艺技术领域[0001]本发明涉及人工石墨散热膜合成制备技术领域，尤其涉及一种人工石墨散热膜石墨化工艺。背景技术[0002]人工石墨散热膜是一种很薄导热材料，又称为导热石墨膜，导热石墨片，石墨散热片等，为电子产品的薄型化发展提供了可能。人工石墨散热膜具有良好的再加工性，可根据用途与PET等其他薄膜类材料复合或涂胶，这种材料有弹性，可裁切冲压成任意形状，可多次弯折；适用于将点热源转换为面热源的快速热传导，具有很高的导热性能，是由一种高度定向的石墨聚合物薄膜制成。目前，人工石墨散热膜广泛的应用于PDP、LCDTV、NotebookPC、UMPC、FlatPanelDisplay、MPU、Projector、PowerSupply、LED，MID,移动电话；DVD；数码相机；电脑及周边设备；传感器；半导体生产设备；光纤通信设备等电子产品中。人工石墨散热膜的制备包括制备PI膜、绕卷、碳化、石墨化、压延等多个步骤，其中，石墨化阶段相较于碳化阶段温度高的多，主要将碳化膜中散乱无章的碳原子进行